公开(公告)号：CN111320472A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010193560.9

申请日：2020-03-18

Applicant: 新疆大学

Inventor： 赵洪峰 ,  王昊 ,  梁温馨 ,  赵慧 ,  漆思怡 ,  王玉川 ,  杨兴

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 一种采用Nd、Zr离子复合施主掺杂制备ZnO压敏电阻陶瓷的方法，包括原料配制步骤、添加ZnO步骤、离子添加步骤、成型步骤、排胶步骤、烧结步骤，上述步骤依次进行，其特征在于，所述离子添加步骤中，加入Al离子、Zr离子，所述原料制备步骤中加入Nd2O3，所述Zr离子以Zr(NO3)4·5H2O形式计量和添加。其有益效果是：梯度高、残压低、通流容量大、泄露电流小、老化性能稳定。

公开(公告)号：CN111233461A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010193561.3

申请日：2020-03-18

Applicant: 新疆大学

Inventor： 赵洪峰 ,  梁温馨 ,  王昊 ,  王玉川 ,  杨兴 ,  郑义已

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  H01C7/108

Abstract: 一种高耐受浪涌电流SnO2压敏电阻陶瓷的方法，包括原料配制步骤、分散步骤、烘干步骤、成型步骤、排胶步骤、烧结步骤，上述步骤依次进行，其特征在于，所述原料配制步骤中加入钛离子、钨离子，所述太离子以Ta2O5形式添加，所述钨离子以WO3形式添加。其有益效果是：高非线性、低漏流、高耐受浪涌电流能力、热导率高，更能适合高压领域对于SnO2压敏电阻阀片的应用要求。