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公开(公告)号：CN1410588A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02151451.8
申请日：2002-09-20
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/32 , C23C14/54 , G02B1/113
Abstract: 本发明提供一种即使卤素元素从膜形成材料中分离也能一边抑制由卤素元素的缺乏所引起的弊端一边进行成膜的卤素化合物的成膜方法及成膜装置。具体地说，使卤素化合物构成的膜的材料从蒸发源(3)蒸发，同时通过从高频电源单元(11)输出并经过衬底支架(2)而供给的高频功率使之离子化，使离子化的膜的材料被析出到衬底(5)上进行成膜。而且，通过从偏置电源单元(12)输出并施加到衬底支架(2)上的偏置电压，将从卤素化合物的离子中分离的卤素元素的离子吸入衬底(5)。
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公开(公告)号：CN1284879C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN02151451.8
申请日：2002-09-20
CPC classification number: C23C14/0694 , C23C14/32 , C23C14/54 , G02B1/113
Abstract: 本发明提供一种即使卤素元素从膜形成材料中分离也能一边抑制由卤素元素的缺乏所引起的弊端一边进行成膜的卤素化合物的成膜方法及成膜装置。具体地说，使卤素化合物构成的膜的材料从蒸发源(3)蒸发，同时通过从高频电源单元(11)输出并经过衬底支架(2)而供给的高频功率使之离子化，使离子化的膜的材料被析出到衬底(5)上进行成膜。而且，通过从偏置电源单元(12)输出并施加到衬底支架(2)上的偏置电压，将从卤素化合物的离子中分离的卤素元素的离子吸入衬底(5)。
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公开(公告)号：CN1424598A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02156957.6
申请日：2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中，使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1～5m2/g的比表面积。
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公开(公告)号：CN100529815C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN02156957.6
申请日：2002-09-20
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/0694 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供光学特性和耐磨耗性优良、并且能够在低温下形成的光学系统的膜结构。在用于把可见光透射率调整为任意值的光学系统(101)中，使光学系统(101)的至少一部分由具有3nm以上并且10nm以下的结晶粒径的氟化物(103)构成。该氟化物(103)还具有1～5m2/g的比表面积。
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公开(公告)号：CN1392580A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02106425.3
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J17/49
Abstract: 提供了一种等离子体显示板(PDP)，由配置有显示电极(8)的前面板(10)和配置有地址电极(3)的后面板(4)组成，通过促使在前后面板之间形成的放电空间放电而显示图象；其特征在于提供由金属氧化物制成的两层保护膜(5，6)，保护膜覆盖安装在前面板(10)上的电介质层(7)；外侧、即上层(6)形成的材料层具有不小于20m2/g的比表面积，并且膜的厚度不大于1μm，显示较高的放电特性；内层、即下层(5)形成的材料层具有不大于10m2/g的比表面积，并且膜的厚度不小于1μm，显示较低的吸水特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1299500C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02130590.0
申请日：2002-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士通日立等离子显示器股份有限公司
CPC classification number: H01J11/12 , G09G3/2022 , G09G3/288 , G09G3/293 , G09G3/294 , G09G2320/02 , H01J11/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板和一种成像装置，它们具有高的发光效率、能保证长寿命和稳定的驱动。所述的等离子体显示板利用了至少含Xe、Ne、He的放电混合气体。该放电混合气体中Xe的比例范围为2%-20%，He的比例范围为15%-50%，且He的比例高于Xe的比例，而且该放电混合气体的总压范围为400乇-550乇，施加给寻址电极的电压脉冲宽度小于或等于2μs。
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公开(公告)号：CN101013644B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610169362.9
申请日：2002-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立等离子显示器股份有限公司
CPC classification number: H01J11/12 , G09G3/2022 , G09G3/288 , G09G3/293 , G09G3/294 , G09G2320/02 , H01J11/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板和一种成像装置，它们具有高的发光效率、能保证长寿命和稳定的驱动。所述的等离子体显示板利用了至少含Xe、Ne、He的放电混合气体。该放电混合气体中Xe的比例范围为2％-20％，He的比例范围为15％-50％，且He的比例高于Xe的比例，而且该放电混合气体的总压范围为400乇-550乇，施加给寻址电极的电压脉冲宽度小于或等于2μs。
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公开(公告)号：CN1445739A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02127762.1
申请日：2002-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士通日立等离子显示器股份有限公司
IPC: G09G3/28
Abstract: 本发明提供一种高发光效率的等离子显示装置。对于包括至少地址期间和用于发光显示的维持期间进行驱动的等离子显示装置，在上述维持期间内具有脉冲施加期间和间隙期间，在即将间隙期间之前的脉冲施加期间，设定给上述维持电极对相对地施加正电压的电极电压为Vsp，设定另一方的电极电压为Vsn，在上述间隙期间，Vsp－Vsn具有明显的负值，并且上述间隙期间内具有放电发光。
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公开(公告)号：CN101013644A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610169362.9
申请日：2002-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士通日立等离子显示器股份有限公司
CPC classification number: H01J11/12 , G09G3/2022 , G09G3/288 , G09G3/293 , G09G3/294 , G09G2320/02 , H01J11/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板和一种成像装置，它们具有高的发光效率、能保证长寿命和稳定的驱动。所述的等离子体显示板利用了至少含Xe、Ne、He的放电混合气体。该放电混合气体中Xe的比例范围为2％－20％，He的比例范围为15％－50％，且He的比例高于Xe的比例，而且该放电混合气体的总压范围为400乇－550乇，施加给寻址电极的电压脉冲宽度小于或等于2μs。
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