公开(公告)号：CN110923654A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911282538.5

申请日：2019-12-13

Applicant: 新昌中国计量大学企业创新研究院有限公司

Inventor： 王疆瑛 ,  陈科成 ,  张景基 ,  刘亚丕 ,  杜汇伟 ,  朱泽洁

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷金属化基板，包括AlN陶瓷衬底、离子注入Ti层、磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层，所述离子注入Ti层位于AlN衬底的表面以及一定深度位置，所述磁控溅射Ti、W、Mo、Cu层在离子注入Ti层之上。本发明还公开了一种氮化铝陶瓷金属化基板的制备方法。本发明通过结合高能离子注入工艺和磁控溅射工艺经热处理获得AlN陶瓷金属化基板。本发明通过高能离子注入Ti离子到衬底的内表层和磁控溅射在表面的Ti金属层经退火热处理与陶瓷基板相互扩散结合，有效的提高了金属膜层和衬底的结合力；通过多层金属薄膜的过渡有效缓解了陶瓷与金属层之间因热膨胀系数不一致而导致的热失配问题。