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公开(公告)号:CN107615508A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201680030567.0
申请日:2016-05-17
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: H01L51/50 , C07D209/86 , C07D487/04 , C09K11/06
Abstract: 本发明提供一种驱动电压低、发光效率高、寿命长的有机EL元件。在对向的阳极与阴极之间包含发光层的有机电场发光元件中,发光层含有主体材料与发光性掺杂材料,主体材料是混合有第1主体与第2主体的材料,所述第1主体选自在吲哚并咔唑环的一个氮上键结有二苯基三嗪基,在所述二苯基三嗪基的苯基上取代有一个以上苯基的化合物;所述第2主体选自在双咔唑环的两个氮上键结有芳香族烃基,所述芳香族烃基的至少一个是缩合芳香族烃基的化合物。
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公开(公告)号:CN107431138A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680018783.3
申请日:2016-03-14
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: H01L51/50 , C07D209/86 , C07D487/04 , C09K11/06
Abstract: 本发明提供一种尽管为低电压仍具有高效率且高驱动稳定性的有机电场发光元件。本发明的在对向的阳极与阴极之间包括发光层的有机电场发光元件中,发光层含有两种主体材料及发光性掺杂剂,两种主体材料中,第1主体材料(H1)为具有1个或2个吲哚并咔唑环的吲哚并咔唑系化合物,第2主体材料(H2)为选自具有六元芳香族环上键结有2个咔唑环的结构的通式(3)所表示的咔唑系化合物中的主体材料。
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公开(公告)号:CN103154005B
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201180049368.1
申请日:2011-10-03
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D519/00 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供新颖的含氮芳香族杂环化合物及使用了该化合物的有机电子器件。该含氮芳香族化合物以通式(1)表示。此外,本发明涉及使用了该含氮芳香族化合物的发光元件、薄膜晶体管、或光伏元件等有机电子器件。L为m+n价的芳香族烃基或芳香族杂环基、或由三芳基胺或二芳基砜生成的基团,X为N-A、O、S或Se,A为烷基等,R为氢、烷基、芳香族基等,m+n为2~4的整数。
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公开(公告)号:CN102633820B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201210072915.4
申请日:2006-11-22
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: C07D519/00 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D487/04 , C07D519/00 , C09B11/04 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1048 , C09K2211/1059 , C09K2211/1074 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/185 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光元件(有机EL元件)以及其使用的化合物,所述有机电致发光元件改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性,且具有简单的结构。该有机电致发光元件是在被层合于基板上的阳极和阴极之间具有发光层的有机电致发光元件,该发光层含有磷光发光性掺杂剂和有机电致发光元件用化合物作为主体材料,所述有机电致发光元件用化合物具有2个以上吲哚咔唑骨架。其使用的吲哚咔唑化合物可例示如下述式表示的化合物。
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公开(公告)号:CN107078221A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580049525.7
申请日:2015-08-26
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种驱动电压低、且发光效率高、寿命长、并且均质的有机电场发光元件及其制造方法。本发明是一种有机电场发光元件,其是在对向的阳极与阴极之间包含发光层的有机电场发光元件,其特征在于:发光层含有主体材料及发光性掺杂剂材料,主体材料为预混合有选自具有在吲哚咔唑环的2个氮上取代有芳香族烃基或芳香族杂环基的结构的化合物中的两种以上的化合物的材料,发光层是将经预混合的主体材料与发光性掺杂剂材料进行共真空蒸镀而形成。
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公开(公告)号:CN103154005A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180049368.1
申请日:2011-10-03
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D519/00 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供新颖的含氮芳香族杂环化合物及使用了该化合物的有机电子器件。该含氮芳香族化合物以通式(1)表示。此外,本发明涉及使用了该含氮芳香族化合物的发光元件、薄膜晶体管、或光伏元件等有机电子器件。L为m+n价的芳香族烃基或芳香族杂环基、或由三芳基胺或二芳基砜生成的基团,X为N-A、O、S或Se,A为烷基等,R为氢、烷基、芳香族基等,m+n为2~4的整数。
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公开(公告)号:CN107431140A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680019665.4
申请日:2016-03-03
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
Abstract: 本发明提供为低电压且具有高效率且高驱动稳定性的有机EL元件。有机电致发光元件,在对向的阳极与阴极之间包含1个以上的发光层,其中,至少1个发光层含有主体材料和发光性掺杂剂,作为该主体材料,使用(i)由具有1个或2个吲哚并咔唑环的吲哚并咔唑化合物构成的第1主体和(ii)由具有多个咔唑环、具有由下述通式(3)表示的结合结构的咔唑化合物构成的第2主体。
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公开(公告)号:CN103108875A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180043940.3
申请日:2011-07-07
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: C07D487/04 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D487/04 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/1096 , H01L51/0072 , H01L51/0087 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供作为有机半导体材料有用的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件。本发明的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件为具有下述式(1)所示的稠合吲哚骨架的含氮芳香族杂环化合物、含有该化合物的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机电子器件。式(1)中,X是N-A’、O、S或Se,A是烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基,R是氢、烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基。
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公开(公告)号:CN103108875B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201180043940.3
申请日:2011-07-07
Applicant: 新日铁住金化学株式会社
IPC: C07D487/04 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/06 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D487/04 , C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/1096 , H01L51/0072 , H01L51/0087 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/5016 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供作为有机半导体材料有用的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件。本发明的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件为具有下述式(1)所示的稠合吲哚骨架的含氮芳香族杂环化合物、含有该化合物的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机电子器件。式(1)中,X是N-A’、O、S或Se,A是烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基,R是氢、烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基。
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