公开(公告)号：CN104137251B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的

公开(公告)号：CN104137251A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。