公开(公告)号：CN100582281C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680020084.9

申请日：2006-04-05

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 今井武 ,  尾崎茂克 ,  平本祐二 ,  佐藤有一 ,  坂本广明

IPC: C22C45/02 ,  H01F1/153 ,  H01F1/16

Abstract: 本发明是以实现Fe-B-Si系非晶质合金的高磁通密度化和热稳定性、非晶质形成性、加工性的提高以及低铁损化为目的，使Fe-B-Si系非晶质合金薄带适量含有N、进而适量含有C、P的发明。本发明的Fe系非晶质合金薄带，按原子%计，含有B：5～25%、Si：1～30%、N：0.001～0.2%，进而含有C：0.003～10%、P：0.001～0.2%，其余量由Fe及不可避免的杂质组成。另外，也可将Fe含量的15%以下用选自Co、Ni或5%以下的Cr中的1种或2种以上进行置换。进而，也可含有Co、Ni、Cr中的1种以上：0.01～1%、Mn：0.15～0.5质量%、S：0.004～0.05质量%。

公开(公告)号：CN101194039A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020084.9

申请日：2006-04-05

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 今井武 ,  尾崎茂克 ,  平本祐二 ,  佐藤有一 ,  坂本广明

IPC: C22C45/02 ,  H01F1/153 ,  H01F1/16

Abstract: 本发明是以实现Fe－B－Si系非晶质合金的高磁通密度化和热稳定性、非晶质形成性、加工性的提高以及低铁损化为目的，使Fe－B－Si系非晶质合金薄带适量含有N、进而适量含有C、P的发明。本发明的Fe系非晶质合金薄带，按原子％计，含有B：5～25％、Si：1～30％、N：0.001～0.2％，进而含有C：0.003～10％、P：0.001～0.2％，其余量由Fe及不可避免的杂质组成。另外，也可将Fe含量的15％以下用选自Co、Ni或5％以下的Cr中的1种或2种以上进行置换。进而，也可含有Co、Ni、Cr中的1种以上：0.01～1％、Mn：0.15～0.5质量％、S：0.004～0.05质量％。