接合线及半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118215990A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202280073103.3

    申请日:2022-10-07

    Abstract: 本发明的接合线中,In的含量为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm以上且500质量ppm以下,选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La和Ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm以上且500质量ppm以下,其余由Ag构成。由此,长期可靠性优异,可使FAB与电极接触而压扁时的形状成为良好的圆形。

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