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公开(公告)号：CN119087563A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411455576.7
申请日：2024-10-18
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了技术领域内的一种亚波长多层纳米锥二维阵列截止吸收器，其特征在于，包括生长在二氧化硅衬底上的四棱柱，所述四棱柱包括三层结构，底层为硫化锌柱，中层为磷化铟柱，顶层为硫化锌柱，所述四棱柱的顶部生长有四棱锥，所述四棱锥选用材料金，形成装配体，多个装配体组合形成交叉阵列；本发明使得波长从紫外到中红外（100nm‑4000nm）段，在吸收带100到560 nm的波段内实现了0.993的平均吸收，在非吸收带1120nm‑4000nm波段内平均吸收仅为0.02；其中ER为9.6dB，ED为0.877，CS为0.0016 nm‑1；高频段通信是在短波长的范围内具有高吸收，而在比截止波长更长的任何波长范围内，吸收率接近于零，可用于光学成像和检测领域。
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