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公开(公告)号：CN119805145A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411963422.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 扬州大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅二极管抗浪涌电流能力的评估方法，通过晶圆测试阶段采集器件在不同温度下的反向I‑V特性数据。该技术根据漏电流随温度的变化率与器件浪涌峰值电流正相关，引入Frechet距离算法。评估流程中，根据额定浪涌电流设定判定阈值D_thresh，计算Frechet距离的总和D_total，通过比较D_total与D_thresh，即可对器件的抗浪涌电流能力做出准确评估。作为一种无损评估方法，本发明在晶圆测试阶段就能有效地筛选出具有高可靠性的器件，为器件的可靠性提供了一种解决方案，从而提高了产品质量的保障水平。
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