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公开(公告)号：CN105375006A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510713231.1
申请日：2015-10-28
Applicant: 扬州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/60 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/362 , H01M4/581 , H01M4/602 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种一锅原位固相法制备SeSx/NCPAN复合材料的方法，称取一定质量配比的Se，S和PAN，混合后研磨均匀，压片；将所得的压片真空密封于石英管中，将石英管放入马弗炉中加热反应即目标产物SeSx/NCPAN。通过SEM表征发现本发明制备的SeSx/CPAN复合材料具有多孔网络状，这种多孔网络状结构可以有效缓冲电池在充放电过程中的体积膨胀，是一种很有潜力的锂离子电池正极材料。本发明的操作步骤简单，设备要求简单，制备周期短，为原位制备Se/C,S/C或SeSx/C复合电极材料提供了新思路。
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公开(公告)号：CN109680335B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910086702.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种硫碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，其化学式为Eu2.25B5O9S0.5I0.5，分子量为619.44，该晶体属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为：a=11.5283(17),b=11.5508(17),c=6.5072(9)Å,Z=4，V=866.5(2)Å3。合成的Eu2.25B5O9S0.5I0.5粉末晶体在相同粒度与条件下其倍频效应达到AgGaS2的0.5倍，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的14倍以上，而这正是商业化AgGaS2晶体的一个重要缺陷。红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，适合用做红外区域的非线性晶体和红外探测器。
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公开(公告)号：CN107326440A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710491595.9
申请日：2017-06-20
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 非线性光学晶体SnI4S16及其制备方法，涉及极光材料的生产技术领域。将片状SnI2、S和I2混合密封于抽真空的石英管中，再置于马弗炉中，经加热处理后，冷却至室温，取出石英管中产物，再采用无水乙醇洗涤产物，经干燥，得到非线性光学晶体SnI4S16。该非线性光学晶体SnI4S16结晶于正交晶系的Fdd2空间群，本发明一步直接合成纯相的SnI4S16粉末晶体，成本低廉，晶体在相同粒度与条件下其倍频效应与AgGaS2相当，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的16倍以上，红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，很适合用做红外区域的非线性晶体。
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公开(公告)号：CN105375006B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510713231.1
申请日：2015-10-28
Applicant: 扬州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种一锅原位固相法制备SeSx/NCPAN复合材料的方法，称取一定质量配比的Se，S和PAN，混合后研磨均匀，压片；将所得的压片真空密封于石英管中，将石英管放入马弗炉中加热反应即目标产物SeSx/NCPAN。通过SEM表征发现本发明制备的SeSx/CPAN复合材料具有多孔网络状，这种多孔网络状结构可以有效缓冲电池在充放电过程中的体积膨胀，是一种很有潜力的锂离子电池正极材料。本发明的操作步骤简单，设备要求简单，制备周期短，为原位制备Se/C,S/C或SeSx/C复合电极材料提供了新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105879883A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610210174.X
申请日：2016-04-06
Applicant: 扬州大学
IPC: B01J27/04 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F101/38
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/04 , B01J35/004 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F2101/38 , C02F2305/10
Abstract: 本发明涉及一种新型可见光降解亚甲基蓝光催化剂α?EuZrS3及其合成方法，该晶体化学式为EuZrS3，所述晶体为α相，表观为黑色粉末，显微镜下为棒状结构。本发明的光催化剂α?EuZrS3，能够在太阳光或者可见光条件下具有较好的光催化活性，在λ>420nm的可见光下光催化活性更好，可应用于有机污染物治理。本发明合成方法与实验步骤简单，可直接大量合成纯相。α?EuZrS3在可见光区具有优良的分解亚甲基蓝的光催化效应，与已经报道的多元金属硫属化合物晶体Ba2AsGaSe5,Dy4S4Te3等相比具有优良的可见光催化活性。
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公开(公告)号：CN109680335A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910086702.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C30B29/46 , C30B9/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明公开了一种硫碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，其化学式为Eu2.25B5O9S0.5I0.5，分子量为619.44，该晶体属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为：a=11.5283(17),b=11.5508(17),c=6.5072(9)Å,Z=4，V=866.5(2)Å3。合成的Eu2.25B5O9S0.5I0.5粉末晶体在相同粒度与条件下其倍频效应达到AgGaS2的0.5倍，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的14倍以上，而这正是商业化AgGaS2晶体的一个重要缺陷。红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，适合用做红外区域的非线性晶体和红外探测器。
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公开(公告)号：CN109629005A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910087615.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C30B29/46 , C30B9/12 , G02F1/353 , G02F1/3551
Abstract: 本发明公开了一种六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用，化学式为In2Se3，分子量为466.52，其单晶属于六方晶系，空间群为P65，晶胞参数为：a=b=7.1231(3)Å,c=19.393(2)Å,α=β=90°，γ=120°,V=852.12(10)Å3,Z=6。通过高温固相法获得In2Se3晶体，硒化铟晶体展现出了优异的非线性光学性能，In2Se3晶体粉末呈现较大的倍频效应，约为AgGaS2的1.5倍，且在2100 nm激光下可实现相位匹配；其抗激光损伤阈值为AgGaS2的7.3倍，可应用在中远红外波段的探测器和激光器的重要器件。
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公开(公告)号：CN105879883B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610210174.X
申请日：2016-04-06
Applicant: 扬州大学
IPC: B01J27/04 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F101/38
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明涉及一种新型可见光降解亚甲基蓝光催化剂α‑EuZrS3及其合成方法，该晶体化学式为EuZrS3，所述晶体为α相，表观为黑色粉末，显微镜下为棒状结构。本发明的光催化剂α‑EuZrS3，能够在太阳光或者可见光条件下具有较好的光催化活性，在λ>420nm的可见光下光催化活性更好，可应用于有机污染物治理。本发明合成方法与实验步骤简单，可直接大量合成纯相。α‑EuZrS3在可见光区具有优良的分解亚甲基蓝的光催化效应，与已经报道的多元金属硫属化合物晶体Ba2AsGaSe5,Dy4S4Te3等相比具有优良的可见光催化活性。
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公开(公告)号：CN107366020A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710535382.1
申请日：2017-07-04
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方相Ga2Se3晶体在非线性光学上的应用，所述晶体制备步骤为：将氧化镓、硼和硒按摩尔比1:2:3混合研磨后压片，并密封于抽真空的石英管中；在850~1000℃下反应24小时以上，然后以4~6℃/小时的降温速度缓慢降温至300℃，洗涤产物，干燥后得到纯相Ga2Se3晶体。本发明合成方法简单、易操作、化学组成简单、可重复性好，制备的立方相Ga2Se3晶体具有大的倍频效应和宽的红外透过范围，可用于激光器激光输出的频率变换上。
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