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公开(公告)号:CN102692287A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210197717.0
申请日:2012-06-15
Applicant: 扬州大学
IPC: G01L1/12
Abstract: 本发明涉及一种基于磁电阻效应的新型应力传感器。本发明技术方案为上面一层是上铁磁层,中间一层是非磁层,下面一层是下铁磁层,包裹层将上述部分包裹,导线穿过包裹层与上铁磁层连接,其另一端串联连接指示灯、电流表、电源,再穿过包裹层与下铁磁层连接,且上铁磁层、下铁磁层的磁致伸缩系数的符号相反、磁致伸缩系数大、具有同样小的各向异性能指标。本发明解决了现有应力传感器存在的对外部环境敏感、抗疲劳性差、结构复杂、微型化很困难、成本高、灵敏度和精确度无法满足需要等缺陷。本发明电路设计简单、工艺成熟、反应灵敏,可直接量化标度。