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公开(公告)号：CN116609869A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310577944.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种近红外超表面完美吸收器，用于热电子光电转换，该吸收器包括二氧化硅基底，二氧化硅基底上设有材料为铬的矩形阵列，各矩形单元上叠加四层圆柱体；四层圆柱体的半径均为R，高度均为H1，四层圆柱体的材料从下而上分别为硅、氟化镁、铬、砷化镓；矩形阵列的周期P和矩形单元的边长一致。经过参数优化后在800nm至1800nm的波段范围内实现了0.923的平均吸收，在1100nm波长处实现了0.991的最高吸收。
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