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公开(公告)号：CN110629195A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920771.5
申请日：2019-09-27
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法，包括以下过程：（1）清洗半导体作为衬底；（2）取金属氧化物粉末和硫粉末；（3）将半导体衬底放在装有金属氧化物的陶瓷舟上，并将陶瓷舟置于真空管式炉中间，随后将装有硫粉的陶瓷舟放置在距离真空管式炉中间上游的15cm处。（4）用真空泵将真空管式炉的石英管内的压强抽至7.5×10-2Torr，并用高纯氮气以200sccm的流量重新填充到常压状态，如此重复三次后调节高纯氮气的流量至50sccm并保持。（5）编辑真空管式炉的温度控制程序。（6）气相沉积过程结束后，待真空管式炉自然冷却到室温后，可获得半导体衬底支撑金属硫化纳米片阵列的异质复合样品。通过本发明，制备过程成本低、效率高。
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