-
公开(公告)号:CN117411373A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311414463.8
申请日:2023-10-30
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种低转矩脉动双三相永磁电机无位置传感器控制方法。该方法在双dq控制结构下,分别在两套三相绕组中建立一个虚拟旋转坐标系,在虚拟旋转坐标系中注入脉振电压信号。通过调整两套绕组中注入信号的相位差,使得注入信号导致的合成转矩脉动为零,因此降低了注入电压信号带来的转矩脉动。该方法保留了虚拟脉振注入法位置估计收敛速度快、不需要带通滤波器参与等优点,在保证良好位置辨识精度的同时,解决了注入虚拟脉振电压信号导致的转矩脉动问题,进一步提高了双三相永磁电机高频信号注入法无位置传感器控制的应用前景。