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发明公开
一种促进银杏褪黑素合成且增强植物耐热性的关键基因GbSNAT及其应用审中-实审

公开(公告)号：CN117143892A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310889121.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 扬州大学

Inventor： 路兆庚 , 邹贺麟 , 曾雯 , 金飚

IPC: C12N15/54 , C12N9/10 , C12N15/82 , A01H5/00 , A01H6/20

Abstract: 本发明公开了一种促进银杏褪黑素合成且增强植物耐热性的关键基因GbSNAT及其应用，本发明首次从银杏中克隆到全新的基因GbSNAT，通过将GbSNAT基因转入银杏体内，过量表达GbSNAT基因的转基因银杏和拟南芥中褪黑素含量显著增加，说明GbSNAT是促进银杏体内褪黑素合成的关键基因，结合体外酶促实验结果表明GbSNAT能够促进褪黑素的合成。此外，通过转基因拟南芥的高温耐受性显著提高，说明褪黑素可以有效缓解高温对植物造成的损伤，提高植株的耐热能力。因此，调控GbSNAT的表达在提高银杏褪黑素合成且增强植物耐热性方面具有重要的应用价值。

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