公开(公告)号：CN105896999A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510035567.7

申请日：2015-01-20

Applicant: 扬州大学

Inventor： 方宇 ,  马明明 ,  成刚 ,  徐潘 ,  郑金燕 ,  尧永 ,  谢勇

IPC: H02M3/337 ,  H02H7/12

Abstract: 本发明涉及一种由阻塞二极管和偏置二极管相组合的电流检测电路。本发明结构是PWM发生器输出、比较器输出到与逻辑门输入端，再输出到驱动电路输入端，一路经开关电源主电路中开关管的门极限流电阻到MOSFET开关管Q的栅极，另一路经限流电阻后分别连接到阻塞二极管的阳极、偏置二极管的阳极，阻塞二极管的阴极连接到开关电源主电路中MOSFET开关管的漏极，偏置二极管的阴极连接到比较器的反相端，基准送到比较器的同相端，偏置二极管与阻塞二极管相同。本发明克服了高功率密度、高效率、高性价比和模块化方面的缺陷。本发明精度较高，无需额外的电流传感器，电路结构简单、体积小，相比于电阻检测电流的电路不会引入损耗，因而可靠性和效率较高。

公开(公告)号：CN105896999B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201510035567.7

申请日：2015-01-20

Applicant: 扬州大学

Inventor： 方宇 ,  马明明 ,  成刚 ,  徐潘 ,  郑金燕 ,  尧永 ,  谢勇

IPC: H02M3/337 ,  H02H7/12

Abstract: 本发明涉及种由阻塞二极管和偏置二极管相组合的电流检测电路。本发明结构是PWM发生器输出、比较器输出到与逻辑门输入端,再输出到驱动电路输入端,路经开关电源主电路中开关管的门极限流电阻到MOSFET开关管Q的栅极,另路经限流电阻后分别连接到阻塞二极管的阳极、偏置二极管的阳极,阻塞二极管的阴极连接到开关电源主电路中MOSFET开关管的漏极,偏置二极管的阴极连接到比较器的反相端,基准送到比较器的同相端,偏置二极管与阻塞二极管相同。本发明克服了高功率密度、高效率、高性价比和模块化方面的缺陷。本发明精度较高,无需额外的电流传感器,电路结构简单、体积小,相比于电阻检测电流的电路不会引入损耗,因而可靠性和效率较高。