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公开(公告)号：CN117348137A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311338453.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米锥阵列结构长波截止完美吸收器，各纳米锥单元包括生长在SiO2衬底上的InP锥体，InP锥体内部嵌套三层堆叠结构，由下往上依次为Si3N4矩体、Cr矩体和Au锥体。对结构参数进行优化后，波长从紫外到近红外，在吸收带200‑820nm中实现了0.979的平均吸收，并且吸收从820nm波长处的0.95急剧下降到1880nm波长处的0.1，在非吸收带1880‑4000nm波段内的平均吸收仅为0.035，其中消光比为9.78dB，消光差为0.85，截止斜率为0.234 nm‑1。
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