公开(公告)号：CN118022782A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410304949.4

申请日：2024-03-18

Applicant: 扬州大学

Inventor： 沈立丰 ,  周敏 ,  陆飞 ,  曾祥华 ,  徐峰

IPC: B01J27/128 ,  B01J35/33 ,  B01J35/40 ,  B01J35/50 ,  C25B11/091 ,  C25B1/02

Abstract: 本发明公开了一种种氟掺杂硫化钴纳米颗粒电催化剂的制备方法及其产品和在葡萄糖电催化氧化中的应用，制备方法包括以下步骤：将钴源、氟源和有机配体溶于去离子水中，得到混合溶液，经水热反应，离心取出沉淀，洗涤、干燥得到F‑Co(OH)2前驱物；最后通过对前驱物的水热硫化得到F‑CoS。本发明通过水热硫化的方法，将Co(OH)2中的OH‑离子与S2‑离子进行阴离子交换，显著改善了催化剂的导电性，加快了电子转移，显著改善了电催化活性。同时，F掺杂改善了其电子结构，加强了对含氧中间体的吸附，进一步降低了电荷转移电阻，相比于CoS材料，F‑CoS电催化剂表现出更好的催化活性。

公开(公告)号：CN116654976A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310520237.1

申请日：2023-05-09

Applicant: 扬州大学

Inventor： 何辉 ,  张翌辉 ,  曹佳乐 ,  吴林峰 ,  徐峰

IPC: C01G19/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种超薄多介孔SnO2纳米碗阵列及其制备方法，SnO2纳米碗呈规则周期性排列，单个纳米碗呈半球形，碗底暴露硅衬底，暴露面为圆形，每个碗与周围六个碗相连，形成六个不规则三角形缝隙，碗壁厚度20 nm以下，碗壁由尺寸30 nm以下的不规则形状纳米颗粒相互交联而成，颗粒之间形成大量介孔。此种超薄多孔结构具有大的比表面积，有利于提高材料的光电性能，表面增强拉曼散射（SERS）测试表明，其具有较大的化学增强能力。同时，本发明的合成方法具有操作简易、绿色环保、成本低廉且易于大量合成等优势，有望得到实际应用。

公开(公告)号：CN118639268A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410672136.0

申请日：2024-05-28

Applicant: 扬州大学

Inventor： 周敏 ,  李崇志 ,  沈立丰 ,  陆飞 ,  徐峰 ,  曾祥华

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/02 ,  C25B1/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种锌掺杂硒化钴纳米片材料的制备方法，将钴源、锌源和有机配体溶于去离子水中，将混合溶液进行水热反应，结束后离心，取固体产物进行洗涤、干燥，得到Zn‑Co(OH)2前驱物，将其和硒源和还原剂加入到去离子水中，搅拌溶解后得到混合液，水热反应后离心取固体产物，洗涤、干燥，即得。与现有技术相比，本发明制备成本低廉，工艺条件易于控制，得到的纳米片尺寸形貌均一，该纳米片材料在葡萄糖电催化氧化中表现出优异的催化活性，在三电极体系下作为阳极进行GOR测试，电流密度达到10mAcm‑2时所需电位为1.24V vs.RHE，超越了大部分过渡金属基催化剂，为高性能GOR催化剂的设计提供新的思路。

公开(公告)号：CN113675284B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202110762359.2

申请日：2021-07-06

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐峰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于半极性超晶格结构的宽波段紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的薄膜层、淀积在薄膜层的掩膜层、以及生长在掩膜层上的光吸收层、以及复合于光吸收层上的电极层；所述光吸收层为半极性AlInGaN超晶格材料。本发明将低缺陷密度的半极性AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN超晶格结构成功应用于紫外探测器吸收层，同时可以通过精确调节金属Al、In金属元素组分x和y，使AlxInyGa1‑x‑yN超晶格材料带隙宽度在3.4～6.2eV范围连续可调，对应的响应波长范围处于200～365nm。本发明的紫外探测器能够兼顾降低材料缺陷密度和极化效应，结合金属叉指结构电极工艺，能有效提高光生载流子收集效率，在降低器件暗电流的同时，显著提高响应度和响应速度。

公开(公告)号：CN116495724A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310512605.8

申请日：2023-05-08

Applicant: 扬州大学

Inventor： 何辉 ,  曹佳乐 ,  张翌辉 ,  吴林峰 ,  徐峰

IPC: C01B32/162 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管花状微纳结构粉体及其制备方法，其步骤为：(1)以水热法合成花状微纳结构Ni(OH)2粉体；(2)通过浸泡在所述花状微纳结构Ni(OH)2粉体表面修饰聚甲基丙烯酸甲酯；(3)在H2/Ar混合气体中对步骤(2)所得修饰后的Ni(OH)2粉体于900℃下快速退火2～10min；(4)步骤(3)所得样品在HCl溶液中浸泡，即可获得最终产物。本发明制备的碳纳米管花状结构粉体完好继承了模板形貌，由弯曲缠绕的超细超短碳纳米管构成，解决了碳管产物易团聚、力学性能差导致的诸多应用问题。本发明方法高效环保、操作简单，能大规模生产，对设备要求低，提高了实验过程中的安全性。

公开(公告)号：CN113675284A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110762359.2

申请日：2021-07-06

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐峰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于半极性超晶格结构的宽波段紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的薄膜层、淀积在薄膜层的掩膜层、以及生长在掩膜层上的光吸收层、以及复合于光吸收层上的电极层；所述光吸收层为半极性AlInGaN超晶格材料。本发明将低缺陷密度的半极性AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN超晶格结构成功应用于紫外探测器吸收层，同时可以通过精确调节金属Al、In金属元素组分x和y，使AlxInyGa1‑x‑yN超晶格材料带隙宽度在3.4～6.2eV范围连续可调，对应的响应波长范围处于200～365nm。本发明的紫外探测器能够兼顾降低材料缺陷密度和极化效应，结合金属叉指结构电极工艺，能有效提高光生载流子收集效率，在降低器件暗电流的同时，显著提高响应度和响应速度。

公开(公告)号：CN1837168A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610039855.0

申请日：2006-04-25

Applicant: 扬州大学

Inventor： 景崤壁 ,  徐峰 ,  朱启华 ,  杨进

IPC: C07C2/42 ,  C07C15/14

Abstract: 本发明涉及1，3，5－三苯基苯的合成方法。本发明将苯乙酮溶于正戊醇中，边搅拌边慢慢滴入催化剂四氯化锡，然后再加入催化剂对甲苯磺酸，在110℃的温度下反应数小时，然后将反应物倾倒入无水乙醇中，搅拌，过滤，用二氯甲烷—乙醇重结晶，得产物1，3，5－三苯基苯。解决了强酸催化合成1，3，5－三苯基苯时使的碳化作用，不但降低了该反应的产率而且得到大量污染环境的黑色物质，四氯化硅和三氯化铝要在氮气保护下进行，需要加入当量级的催化剂而且反应时间也长，需要反应24小时以上，浪费大量的能源和高纯氮气等缺陷。本发明反应产率在85％以上，副产物较少，大大减少了大量酸性催化剂对于环境的污染。

公开(公告)号：CN119153527A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411346590.3

申请日：2024-09-26

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐峰 ,  董永豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种双沟道非对称沟槽型碳化硅MOS器件及制备方法，该制备方法包括在SiC衬底和缓冲层上方生长外延层，以及在该外延层表面形成电流扩展层和对称的P+阱区；以及依次形成P‑base区、N‑plus区和P‑plus区；在P+阱区上方刻蚀沟槽，且使P+阱区被刻蚀形成L形；在沟槽内进行氧化物和多晶硅沉积，形成L形分离栅和柱状分离栅；以及在所述沟槽内继续进行氧化物和多晶硅沉积，形成栅极；最后生成源极和漏极。本发明制备的MOS器件新增P+阱区包裹住沟槽底部，形成PN结分担沟槽拐角处电，在沟槽内部形成多层分离栅，能够降低沟槽底部电场，提升器件栅氧可靠性。

公开(公告)号：CN114899231A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210414466.0

申请日：2022-04-20

Applicant: 扬州大学

Inventor： 徐峰

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/15

Abstract: 本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法，所述器件包括从下至上依次叠设的衬底、预铺层、成核层、渐变层、高阻层、沟道层、势垒层和P型层，势垒层上形成源极和漏极，P型层上形成栅极，分别在源极和P型层之间、漏极和P型层之间的势垒层上设置钝化层；P型层包括InGaN超晶格以及叠设在InGaN超晶格上的AlGaN超晶格。本发明能够兼顾到提升材料结晶质量、增加空穴注入效率，增强器件饱和电流、阈值电压和可靠性等多重工艺目的；有效提升受主掺杂的激活效率，增加P型层材料的空穴载流子浓度；相应地还可以减小受主掺杂浓度，降低空穴载流子受到的杂质散射机制。

公开(公告)号：CN1847216A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610039853.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 扬州大学

Inventor： 景崤壁 ,  朱启华 ,  徐峰 ,  杨进 ,  田帅

IPC: C07C211/48 ,  A62D3/00 ,  B09B3/00

Abstract: 本发明涉及一种对愈创木酚－亚硝基法合成香兰素时得到的工业固体废物的循环处理方法。本发明将硫酸铜加入到乙醇中，加热回流，搅拌均匀，加入溶解在乙醇中的对氨基N，N二甲基苯胺，滴加硫酸，加入亚硝酸钠，反应至稳定，加水蒸出乙醇，冰水冷却后，加入氢氧化钠溶液至pH值呈碱性，升温蒸馏至蒸馏液中无油滴，将馏出液用氯仿萃取，取氯仿层，加入硫酸镁，干燥、过滤，蒸出氯仿，得产物N，N二甲基苯胺。解决了现有技术存在的处理对氨基N，N二甲基苯胺成本高、无法实现或二次污染的缺陷。本发明循环利用固体废物对氨基N，N二甲基苯胺，消除污染性，得到用于制备香兰素的原料N，N二甲基苯胺，得率高，达80％及以上，成本低。