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公开(公告)号:CN106868448A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710050262.2
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
IPC: C23C8/64
Abstract: 本发明提供一种利用膏剂渗碳提高输电线路金具耐磨性的方法,属于材料表面热处理技术领域。包括以下步骤:1)将金具件需要耐磨处涂上一层2~3mm厚的渗碳膏剂和一层保护剂并烘干;2)将金具件在900℃~930℃加热保温后油淬冷至室温;3)对淬火后的金具件进行200~220℃低温回火。本发明可以使金具的局部表面硬度由40HRC左右提高至 58HRC以上,具有良好的耐磨性,延长金具的使用寿命,保障输电线路金具的使用可靠性。
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公开(公告)号:CN106868448B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201710050262.2
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
IPC: C23C8/64
Abstract: 本发明提供一种利用膏剂渗碳提高输电线路金具耐磨性的方法,属于材料表面热处理技术领域。包括以下步骤:1)将金具件需要耐磨处涂上一层2~3mm厚的渗碳膏剂和一层保护剂并烘干;2)将金具件在900℃~930℃加热保温后油淬冷至室温;3)对淬火后的金具件进行200~220℃低温回火。本发明可以使金具的局部表面硬度由40HRC左右提高至58HRC以上,具有良好的耐磨性,延长金具的使用寿命,保障输电线路金具的使用可靠性。
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公开(公告)号:CN106637322B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201710109734.7
申请日:2017-02-28
Applicant: 扬州大学
Inventor: 姜世杭
Abstract: 本发明公开一种半导体硅片微点电镀槽,包括电镀腔(1)和镀液槽(2);电镀腔(1)分成外槽(11)和内槽(12),内槽(12)底部内侧放置阳极电极板(31),待镀半导体硅片(4)搁置在内槽(12)顶部周边均布4个向上的突起(13)上,上面放有阴极电极板(32);电镀腔(1)和镀液槽(2)之间通过镀液管(6)形成镀液循环;镀液槽(2)内设有镀液泵(5),镀液泵(5)的出口接一镀液上液管(61),镀液上液管(61)穿过外槽(11)和内槽(12)及阳极电极板(31),与内槽(12)内部相通;外槽(11)上开有回液孔(14),回液孔(14)位于内槽(12)之外。本发明的电镀槽,大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。
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公开(公告)号:CN106801213A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710050263.7
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C23C8/66 , C21D1/18 , C21D1/70 , C21D2211/008 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/12
Abstract: 本发明涉及一种高性能耐磨输电线路金具及其热处理工艺,属于合金材料及热处理技术领域。金具由20SiMn2MoVA钢制成,热处理工艺包括以下工艺步骤:1)将金具件需要耐磨处涂上一层渗碳膏剂和一层保护剂并烘干;2)将金具件在910℃~930℃加热保温后油淬冷至室温;3)对淬火后的金具件进行200~220℃低温回火。本发明可以使金具的屈服强度达到Rp0.2 1230MPa以上,抗拉强度达Rm 1450MPa以上,‑40℃冲击吸收能量达到KV2 35J以上,膏剂渗碳处的硬度可达58HRC以上。
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公开(公告)号:CN106801117B
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201710050045.3
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明提供了一种高强韧性输电线路金具,由22SiMnCrNi2MoA钢制成。22SiMnCrNi2MoA钢金具的热处理工艺,包括如下步骤:1)正常温度淬火;2)亚温淬火;3)低温回火。本发明金具的性能能在‑40℃冲击吸收能量达到KV2 59J的前提下,屈服强度达到Rp0.2 1350MPa以上,抗拉强度达到Rm 1520MPa以上,保证金具使用的可靠性,延长使用寿命。
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公开(公告)号:CN106801213B
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201710050263.7
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能耐磨输电线路金具及其热处理工艺,属于合金材料及热处理技术领域。金具由20SiMn2MoVA钢制成,热处理工艺包括以下工艺步骤:1)将金具件需要耐磨处涂上一层渗碳膏剂和一层保护剂并烘干;2)将金具件在910℃~930℃加热保温后油淬冷至室温;3)对淬火后的金具件进行200~220℃低温回火。本发明可以使金具的屈服强度达到Rp0.21230MPa以上,抗拉强度达Rm 1450MPa以上,‑40℃冲击吸收能量达到KV235J以上,膏剂渗碳处的硬度可达58HRC以上。
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公开(公告)号:CN106835089A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710049147.3
申请日:2017-01-21
Applicant: 扬州大学
Inventor: 姜世杭
IPC: C23C18/50
CPC classification number: C23C18/50 , C23C18/1662
Abstract: 本发明公开一种Ni‑W‑P‑纳米SiO2化学复合镀层的制备方法,包括如下步骤:(10)硅溶胶制备:将硅粉加入蒸馏水中,活化,加入氢氧化钠溶液,强烈搅拌,反应充分后冷却,静置后减压抽滤,得到硅溶胶;(20)化学镀液配制:配制化学镀液;(30)复合镀液混合:将化学镀液加入硅溶胶中,并加水配至所需的量,用氨水调节混合溶液的pH值至弱碱性,再升温至30℃~35℃。(40)镀层生成:将表面打磨、除油、除锈、清洗及活化后的基体材料,置于复合镀液中施镀,得到Ni‑W‑P‑纳米SiO2复合镀层。本发明制备的化学复合镀层,纳米颗粒分散较均匀、镀层硬度高。
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公开(公告)号:CN106801117A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710050045.3
申请日:2017-01-23
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: C21D1/18 , C21D2211/005 , C21D2211/008 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44
Abstract: 本发明提供了一种高强韧性输电线路金具,由22SiMnCrNi2MoA钢制成。22SiMnCrNi2MoA钢金具的热处理工艺,包括如下步骤:1)正常温度淬火;2)亚温淬火;3)低温回火。本发明金具的性能能在‑40℃冲击吸收能量达到KV2 59J的前提下,屈服强度达到Rp0.2 1350MPa以上,抗拉强度达到Rm 1520MPa以上,保证金具使用的可靠性,延长使用寿命。
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公开(公告)号:CN106637322A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201710109734.7
申请日:2017-02-28
Applicant: 扬州大学
Inventor: 姜世杭
Abstract: 本发明公开一种半导体硅片微点电镀槽,包括电镀腔(1)和镀液槽(2);电镀腔(1)分成外槽(11)和内槽(12),内槽(12)底部内侧放置阳极电极板(31),待镀半导体硅片(4)搁置在内槽(12)顶部周边均布4个向上的突起(13)上,上面放有阴极电极板(32);电镀腔(1)和镀液槽(2)之间通过镀液管(6)形成镀液循环;镀液槽(2)内设有镀液泵(5),镀液泵(5)的出口接一镀液上液管(61),镀液上液管(61)穿过外槽(11)和内槽(12)及阳极电极板(31),与内槽(12)内部相通;外槽(11)上开有回液孔(14),回液孔(14)位于内槽(12)之外。本发明的电镀槽,大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。
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公开(公告)号:CN214856218U
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202120742192.9
申请日:2021-04-13
Applicant: 扬州大学
IPC: A47J47/16
Abstract: 本实用新型公开了一种拓展用途厨房置物架,包括竖杆,其数量为四个、且设置于其左侧的左横架、设置于其右侧的右横架、设置于其背面的固定层后横架、设置于其正面的固定层前横架、设置于其正面中部的活动层前横架、以及设置于其背面的活动层后横架;置物模块。本实用新型通过外管、中间管以及内管之间的配合使用,可灵活的对活动置物板进行抽拉操作,从而使其在放置电饭锅等需要上开盖的电器时,可将其抽出对电器进行操作,无需将电器移动至别处进行使用,极大的提高了操作的便利性,同时通过多个横架和螺纹孔的设置,使得该厨房置物架在拆装时更加方便和高效,且能够根据使用环境灵活调节各个置物板的高度,使其能够适用与不同的场景。
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