公开(公告)号：CN102874864B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210388122.3

申请日：2012-10-15

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曾祥华 ,  卢俊峰

IPC: C23C16/30 ,  C01G9/08 ,  C09K11/57 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法，包括以下步骤：（1）选取ZnS粉末和MnCl2粉末混合，其中Mn的摩尔掺杂含量为0.5%-10%；混合后的粉末置于管式炉的中间；选取镀金的Si片置于管式炉的下风口处；（2）封闭管式炉，通氩气清洗，氩气流量为500-550sccm；（3）清洗完毕后，将氩气流量调节至48-53sccm，然后使用真空泵将管式炉内气压抽至8-12Pa；（4）对管式炉进行加热至1030-1070℃，升温速率8-12℃/min，保温30-35min，最后自然降温；（5）冷却至室温，关闭管式炉，取出产物。本发明原材料便宜、无毒、无污染、工艺简化、成本低；产品的结晶度高，一维纳米同质超晶格均匀性好，在580nm处有很强的峰，没有其他有机物对样品造成污染。

公开(公告)号：CN102874864A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210388122.3

申请日：2012-10-15

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曾祥华 ,  卢俊峰

IPC: C01G9/08 ,  C09K11/57 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法，包括以下步骤：（1）选取ZnS粉末和MnCl2粉末混合，其中Mn的摩尔掺杂含量为0.5%-10%；混合后的粉末置于管式炉的中间；选取镀金的Si片置于管式炉的下风口处；（2）封闭管式炉，通氩气清洗，氩气流量为500-550sccm；（3）清洗完毕后，将氩气流量调节至48-53sccm，然后使用真空泵将管式炉内气压抽至8-12Pa；（4）对管式炉进行加热至1030-1070℃，升温速率8-12℃/min，保温30-35min，最后自然降温；（5）冷却至室温，关闭管式炉，取出产物。本发明原材料便宜、无毒、无污染、工艺简化、成本低；产品的结晶度高，一维纳米同质超晶格均匀性好，在580nm处有很强的峰，没有其他有机物对样品造成污染。

公开(公告)号：CN217284189U

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202123207136.4

申请日：2021-12-20

Applicant: 扬州大学

Inventor： 王琳 ,  杨雨薇 ,  卢俊峰 ,  李新娥 ,  刘大林 ,  赵国琦

IPC: A01G9/029 ,  A01G13/02

Abstract: 本实用新型公开了一种便于苜蓿播种间苗的穴盘，包括位于土壤上面的圆环形主框架，圆环形主框架内横竖设置有若干个分隔条，分隔条将圆环形主框架分隔成若干个格子，格子内用于放置苜蓿种子，两个相邻格子连接处下面竖直设置有垂直梳，垂直梳的下端插入到土壤中。圆环形主框架上连接有若干个可折叠软性骨架的下端，若干个可折叠软性骨架的上端用于支撑纱幔。本实用新型提供的一种便于苜蓿播种间苗的穴盘，能够避免种子位置错乱交叉，方便将不同幼苗进行分离，同时能够避免过强的日照将幼苗灼伤。