公开(公告)号：CN116840953A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310458949.5

申请日：2023-04-26

Applicant: 扬州大学

Inventor： 陈海涛 ,  刘霄羽 ,  钱沁宇 ,  王钦华

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器，在透明衬底上设有纳米方孔阵列，每个纳米方孔由衬底向上高度均为h的五个方形环构成，材料依次为氟化镁、硅、铬、砷化镓、铝；每个纳米方孔内嵌入纳米方柱，纳米方柱由衬底向上高度均为h的四个方形柱构成，四个方形柱的材料依次为硅、铬、砷化镓、铝。该吸收器中在420nm至3500nm的波段范围内，实现理论值0.922的平均吸收率，在570nm处可实现0.999的完美吸收。该吸收器与传统的吸收器相比，是实现大面积超薄超表面吸收器的有效途径，具有宽频带、高吸收的优点，且其结构相对简单，与当前的纳米加工技术如沉积和光刻兼容，易于制造，成本较低。

公开(公告)号：CN116482788A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310458953.1

申请日：2023-04-26

Applicant: 扬州大学

Inventor： 刘霄羽 ,  钱沁宇 ,  樊莉 ,  王钦华

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器，采用生长在二氧化硅上的纳米圆柱和圆环阵列，两组圆环结构分别选用电介质材料砷化镓和硅。优化结构参数后，波长从紫外到中红外，在吸收带100‑710nm中实现了0.913的平均吸收率，在非吸收带1260nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中ER为9.6dB，ED为0.81，CS为0.0015nm‑1。本发明所提出的完美截止吸收体正好具备这种光谱选择性，其为设计理想的太阳热吸收器提供了一种有效的方法，这在可再生能源领域，例如太阳热光电和太阳热能应用中具有重要的应用。