公开(公告)号：CN118910655A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410805323.1

申请日：2024-06-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张淮浩 ,  付洪亮 ,  赵静

IPC: C25B11/091 ,  H01M4/62 ,  H01M10/42 ,  H01M10/054 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂层状夹心结构Fe‑MOF@Nb2CTx及其制备方法和应用，其制备步骤如下：通过氢氟酸刻蚀Nb2AlC除去Al层，得到Nb2CTx，之后将Nb2CTx与六水合氯化铁在DMF中混合均匀，再添加1,4‑对苯二甲酸与铁离子形成配体，通过水热和碳化处理得到层状夹心结构的Fe‑MOF@Nb2CTx。最后，通过热解三聚氰胺对其进行氮化得到最终产物N‑Fe‑MOF@Nb2CTx。本发明的方法提高了电极材料的稳定性，使得电极材料具有高的反应活性，且提高了其有效传质和导电性。基于此，该材料在SIBs、OER、HER和OWS中均展现出良好的电化学性能。

公开(公告)号：CN115043435B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210816637.2

申请日：2022-07-12

Applicant: 扬州大学

Inventor： 付洪亮 ,  赵静 ,  练越 ,  张淮浩

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M10/0525 ,  C01B32/15 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明公开了一种氧缺陷铌酸铁纳米片及其制备方法，其步骤为：将氯化铌、氯化铁的混合溶液先水热处理，再通过将铌酸铁的前驱体与2‑甲基咪唑混合用于固定纳米片，于氮气下热处理得到多孔片状纳米片，再进行等离子体刻蚀得到具有氧空位的多孔片状纳米片，然后在其表面附着碳层得到所述纳米片。本发明利用铌酸铁的前驱体与2‑甲基咪唑相结合固化了纳米片层结构，抑制了中间体在形成铌酸铁时团聚现象，从而保持了较大的比表面积和充分暴露的活性位点；氧空位也有利于激发电活性位点和扩展离子传输路径；此外，碳层也提供了高效的电子/离子通道，增大其导电性，并为铌酸铁中的缺陷结构提供了保护。

公开(公告)号：CN115043435A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210816637.2

申请日：2022-07-12

Applicant: 扬州大学

Inventor： 付洪亮 ,  赵静 ,  练越 ,  张淮浩

IPC: C01G49/00 ,  C01B32/15 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种氧缺陷铌酸铁纳米片及其制备方法，其步骤为：将氯化铌、氯化铁的混合溶液先水热处理，再通过将铌酸铁的前驱体与2‑甲基咪唑混合用于固定纳米片，于氮气下热处理得到多孔片状纳米片，再进行等离子体刻蚀得到具有氧空位的多孔片状纳米片，然后在其表面附着碳层得到所述纳米片。本发明利用铌酸铁的前驱体与2‑甲基咪唑相结合固化了纳米片层结构，抑制了中间体在形成铌酸铁时团聚现象，从而保持了较大的比表面积和充分暴露的活性位点；氧空位也有利于激发电活性位点和扩展离子传输路径；此外，碳层也提供了高效的电子/离子通道，增大其导电性，并为铌酸铁中的缺陷结构提供了保护。

公开(公告)号：CN119615247A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411723627.X

申请日：2024-11-28

Applicant: 扬州大学

Inventor： 张淮浩 ,  薛雯瑶 ,  付洪亮 ,  赵静

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/065 ,  C25B1/04

Abstract: 一种Ni掺杂纳米花结构Ni‑V2O5@NC及其制备方法与应用，属于电解水制氧技术领域。具体步骤如下：将偏钒酸铵、二水合草酸和六水合硝酸镍依次加入去离子水中，搅拌至溶解，通过水热和碳化处理得到纳米花状结构Ni‑V2O5@NC。本发明利用Ni掺杂的方法，抑制了V2O5的团聚现象，从而提供了高的比表面积和丰富的活性位点；Ni掺杂优化了V2O5的缺陷结构，有利于激发活性位点使得催化剂具有高的反应活性。Ni具有高的导电率，掺杂V2O5后提高了材料的导电性。此外，Ni掺杂有助于形成更稳定的氧化态，从而提高了结晶度和稳定性。基于以上优势，Ni‑V2O5@NC在析氧反应(OER)中展现出良好的电化学性能。

公开(公告)号：CN116855997A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310778864.5

申请日：2023-06-28

Applicant: 扬州大学

Inventor： 付洪亮 ,  柏永青 ,  赵静 ,  张淮浩

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/065 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种蜂蜜衍生多孔碳原位生长铌酸铁及其制备方法，其步骤为：将蜂蜜和二氧化硅的混合溶液进行搅拌蒸发，再进行高温碳化以及刻蚀除去二氧化硅，得到多孔碳，将多孔碳加入氯化铌和六水合氯化铁的混合溶液中水热处理，再于氨气下热处理得到FeNbO4‑x@NC。本发明所述方法抑制了铌酸铁团聚现象，提供了较大的比表面积和充分暴露的活性位点；此外，热处理中通以氨气可制备氧空位，同时还进行了氮掺杂。氧空位有利于激发电活性位点和扩展离子传输路径；氮原子的引入改变了周围的电子环境，修饰多孔碳结构以产生更快的电荷转移。基于以上调控，FeNbO4‑x@NC在析氧反应、析氢反应和全水解中展现出良好的电化学性能。