公开(公告)号：CN108462163B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201710090731.3

申请日：2017-02-20

Applicant: 成都鼎桥通信技术有限公司

Inventor： 田新宝 ,  张建利 ,  王海鹏

IPC: H02H11/00

Abstract: 本发明实施例提供一种满足负向浪涌要求的直流防反接电路。该电路包括：MOSFET、第一电阻、第二电阻、三极管、第一二极管；第一电阻的一端与MOSFET的漏极电连接；第一电阻的另一端与三极管的基极电连接；三极管的发射极与MOSFET的源极电连接；三极管的集电极与第一二极管的负极电连接；MOSFET的栅极通过第二电阻与三极管的集电极电连接；MOSFET的漏极和第一二极管的正极分别连接电源的两端。本发明实施例通过MOSFET的源极和栅极之间的电容可通过放电回路进行放电，从而使得MOSFET从导通状态转换为截止状态，防止电路中出现反向电流导致直流母线电容回抽变零，从而可以避免控制电路和系统输出掉电。

公开(公告)号：CN108462163A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710090731.3

申请日：2017-02-20

Applicant: 成都鼎桥通信技术有限公司

Inventor： 田新宝 ,  张建利 ,  王海鹏

IPC: H02H11/00

Abstract: 本发明实施例提供一种满足负向浪涌要求的直流防反接电路。该电路包括：MOSFET、第一电阻、第二电阻、三极管、第一二极管；第一电阻的一端与MOSFET的漏极电连接；第一电阻的另一端与三极管的基极电连接；三极管的发射极与MOSFET的源极电连接；三极管的集电极与第一二极管的负极电连接；MOSFET的栅极通过第二电阻与三极管的集电极电连接；MOSFET的漏极和第一二极管的正极分别连接电源的两端。本发明实施例通过MOSFET的源极和栅极之间的电容可通过放电回路进行放电，从而使得MOSFET从导通状态转换为截止状态，防止电路中出现反向电流导致直流母线电容回抽变零，从而可以避免控制电路和系统输出掉电。