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公开(公告)号：CN102298543A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110273972.4
申请日：2011-09-15
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Inventor： 周建华
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储器管理方法和装置，其中方法的实现包括：监控是否达到执行筛选坏页的条件；若达到执行筛选坏页的条件，则对非易失性存储器的至少一个块内的数据页进行筛选得到坏页；所述坏页为稳定性不符合预定标准的页；读取所述坏页内的数据，并将所述读取的坏页内的数据写入至未失效页内；确认所述读取的坏页内的数据写入成功后，将所述坏页设置为禁用页。本发明实施例对非易失性存储器的页进行管理的方案，具有通用性，在保证了非易失性存储器的速度的前提下提高了非易失性存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101539895B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910137797.9
申请日：2009-05-07
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
IPC: G06F13/16
Abstract: 本发明实施例提供一种基于Flash的状态查询及发送方法、装置及系统，所述方法包括：向Flash中的层发送状态查询命令；通过检测Flash的I/O引脚信号，获取Flash中的层的状态寄存器中与Flash中的层的状态信号值对应的I/O位的值；根据I/O位的值确定Flash中的层的状态。本发明实施例还提供一种基于Flash的状态发送方法，所述方法包括：接收Flash控制器发送的查询层状态的状态查询命令；通过Flash的I/O引脚向Flash控制器反馈Flash中的层的状态寄存器中与Flash中的层的状态信号值对应的I/O位的值。本发明实施例达到了有效缓解Flash控制器管脚资源紧张的技术效果。
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公开(公告)号：CN102081970A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010620825.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Inventor： 周建华
Abstract: 本发明公开了一种纠错处理的方法、装置和固态硬盘设备，方法包括：根据错误检查和纠正ECC算法与进行ECC纠错的硬盘的颗粒特性的对应关系，在ECC模块中嵌入至少与所述硬盘的颗粒特性对应的至少两种ECC算法；根据当前进行ECC纠错的硬盘的颗粒特性，选择相应的ECC算法进行ECC纠错处理。本发明在对硬盘进行ECC处理的过程中，通过在ECC编码模块设置多个ECC算法，使得可以根据实际应用的颗粒特性选择相应的ECC算法，能够满足各个供应商的不同的需求，同时改善ECC处理的效果。
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公开(公告)号：CN101515221A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910119499.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Inventor： 周建华
CPC classification number: G06F13/161 , G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0685
Abstract: 本发明实施例公开了一种读数据的方法、装置和系统；其中读数据方法的实现可以为：向第一闪存片发送第一读命令，接收到所述第一读命令的响应后，读所述第一读命令指向的数据；在所述向第一闪存片发送第一读命令之后，读所述第一读命令指向的数据之前，向第二闪存片发送第二读命令；接收到所述第二读命令的响应，且所述读第一读命令指向的数据完成后，读所述第二读命令指向的数据。上述实施方式具有如下有益效果：通过在第一读命令与读上述第一读命令指向的数据之间，发送第二读命令，复用了读潜伏期，两次读数据之间不再有读潜伏期，提高了I/O通道利用率，从而提高读取速率。
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公开(公告)号：CN101572123A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910059473.8
申请日：2009-05-31
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Abstract: 一种非易失性存储器控制装置、数据调度方法和系统，用于控制多层式存储器存储数据，包括控制器和调度模块。所述控制器用于在向多层式存储器的当前存储器单元块发送命令后，向调度模块发送请求信号。所述请求信号是在当前存储器单元块处于潜伏期阶段时，由所述控制器请求调度模块发送针对下一个存储器单元块的命令。在当前存储器单元块处于潜伏期的阶段结束后，控制器发送状态查询命令给存储器，接收存储器根据所述状态查询命令反馈的状态信息，并将所述状态信息上报调度模块。通过在当前存储器单元块处于潜伏期阶段时，由所述控制器请求调度模块发送针对下一个存储器单元块的命令，提高了存储器的数据处理速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101539895A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910137797.9
申请日：2009-05-07
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
IPC: G06F13/16
Abstract: 本发明实施例提供一种基于Flash的状态查询方法、装置及系统，所述方法包括：向Flash中的层发送状态查询命令；获取Flash中的层的状态寄存器中与Flash中的层的状态信号值对应的I/O位的值；根据I/O位的值确定Flash中的层的状态。本发明实施例还提供一种基于Flash的状态发送方法，所述方法包括：接收Flash控制器发送的查询层状态的状态查询命令；向Flash控制器反馈Flash中的层的状态寄存器中与Flash中的层的状态信号值对应的I/O位的值。本发明实施例达到了有效缓解Flash控制器管脚资源紧张的技术效果。
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公开(公告)号：CN101382883A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810167861.3
申请日：2008-10-14
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
IPC: G06F7/72
Abstract: 本发明实施例公开了一种乘法器的实现方法和乘法器装置。该方法包括：获取第一乘数和第二乘数在预设的对数查找关系中对应的第一值和第二值；当对所述第一值和第二值的运算结果与预设的门限值满足预设的乘0规则所特定的关系时，判断所述第一乘数和第二乘数中的至少一个为0；根据预设的对数反查找关系，输出所述第一乘数和第二乘数的乘法结果为0。本发明实施例利用预先设定的乘0规则以及对数查找关系和对数反查找关系，对输入乘法器的乘数是否为零进行有效判断，在乘法器中实现了对0的乘法运算，方法简单且提高了运算效率。
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公开(公告)号：CN102081970B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201010620825.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Inventor： 周建华
Abstract: 本发明公开了一种纠错处理的方法、装置和固态硬盘设备，方法包括：根据错误检查和纠正ECC算法与进行ECC纠错的硬盘的颗粒特性的对应关系，在ECC模块中嵌入至少与所述硬盘的颗粒特性对应的至少两种ECC算法；根据当前进行ECC纠错的硬盘的颗粒特性，选择相应的ECC算法进行ECC纠错处理。本发明在对硬盘进行ECC处理的过程中，通过在ECC编码模块设置多个ECC算法，使得可以根据实际应用的颗粒特性选择相应的ECC算法，能够满足各个供应商的不同的需求，同时改善ECC处理的效果。
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公开(公告)号：CN101533662B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910058900.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Inventor： 周建华
Abstract: 本发明实施例公开了一种闪存读写方法，包括：多层式与非型闪存中的多个层被预先划分为多个读写单元，所述每个读写单元在读/写数据一段时间后从读/写操作期进入读/写潜伏期；当所述多个读写单元中的一个读写单元从读/写操作期进入读/写潜伏期时，从所述另一个读写单元中读/写数据。本发明实施例同时公开了一种闪存设备。所述方法和闪存设备可有效提高闪存设备数据读/写效率。
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公开(公告)号：CN101441584B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810186131.8
申请日：2008-12-19
Applicant: 成都市华为赛门铁克科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种现场可编程门阵列的实现方法和装置。以现场可编程门阵列的实现方法实施例的实现为例，可以包括步骤：接收运算数据，确定与所述运算数据对应的运算功能；根据所述运算功能确定基本功能单元的调用数量和种类；根据所述基本功能单元的调用数量和种类分配基本功能单元；与所述基本功能单元建立连接，计算所述运算数据。通过对运算数据的分析得到计算上述运算数据需要调用的基本功能单元的数量和种类，然后再根据上述需要分配基本功能单元，实现了对基本功能单元的统一调度，可以减少基本功能单元的重用，从而节约了逻辑资源。
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