公开(公告)号：CN106383542A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611178235.5

申请日：2016-12-19

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  李昌玮 ,  周泽坤 ,  马亚东

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/567

Abstract: 一种非带隙无电阻CMOS基准源，属于模拟电路技术领域。包括阈值电压提取电路和基准电压产生电路，阈值电压提取电路提取NMOS阈值电压VTHN和PMOS阈值电压VTHP输入基准电压产生电路后产生基准电压VREF；本发明以阈值电压的负温特性为基础，利用NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的差值产生正温补偿电压，通过基准电压产生电路进行叠加，最终实现一个非带隙无电阻的基准电压源；不需要很大尺寸比的MOS器件，减小了电路设计难度；本发明不需要PN结和电阻，减小了版图面积，不会引入额外的噪声。

公开(公告)号：CN106383542B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201611178235.5

申请日：2016-12-19

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  李昌玮 ,  周泽坤 ,  马亚东

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种非带隙无电阻CMOS基准源，属于模拟电路技术领域。包括阈值电压提取电路和基准电压产生电路，阈值电压提取电路提取NMOS阈值电压VTHN和PMOS阈值电压VTHP输入基准电压产生电路后产生基准电压VREF；本发明以阈值电压的负温特性为基础，利用NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的差值产生正温补偿电压，通过基准电压产生电路进行叠加，最终实现一个非带隙无电阻的基准电压源；不需要很大尺寸比的MOS器件，减小了电路设计难度；本发明不需要PN结和电阻，减小了版图面积，不会引入额外的噪声。