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公开(公告)号：CN119628576A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510169727.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高鲁棒性分布式放大器，属于通讯电路设计技术领域，分布式放大器为四级放大电路的Cascode架构，在每级放大电路中，共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接，可重构电容的另一端接地；可重构电容在不同工艺角、电源电压和温度下调节为不同电容值。本发明中的可重构电容在不同的工艺角、电源电压和温度下可以调节为不同的电容值，可以和栅极电感共同作用，对劈裂的极点位置进行调整，使得放大器工作在增益最高、带宽最宽并且不发生振荡的区域。
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公开(公告)号：CN118536566B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410590038.2
申请日：2024-05-13
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明提供一种模拟AI运算架构，涉及电路设计技术领域，该架构包括信号获取模块，用于对模拟信号进行采样，得到信号样本数据；滤波模块，用于利用AI信号传递机制，对信号样本数据进行带通滤波，得到滤波数据；计算模块，用于利用运算器和外部控制开关，对滤波数据进行模拟AI运算，得到处理后的模拟信号。本发明简化了传统数字信号的处理流程，提高了计算速度，降低了计算所需功耗和系统复杂度。
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公开(公告)号：CN118646374A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411096663.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本申请提供一种片上电容带宽展宽电路及电子设备，属于集成电路技术领域。该片上电容带宽展宽电路，包括放大电路、隔直片上电容Cb以及衬底隔离电阻Rb，放大电路的输入端和输出端均连接有隔直片上电容Cb，隔直片上电容Cb的衬底端和衬底之间连接有衬底隔离电阻Rb。本申请提出的带宽展宽技术，在片上电容的衬底端和衬底之间增加衬底隔离电阻，使得片上电容的衬底端和衬底之间不直接相连，能有效降低高频损耗，从而起到将片上电容带宽展宽的目的。
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公开(公告)号：CN115664388A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211671429.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都铱通科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于ΔΣ小数分频锁相环的三角波发生电路，属于集成电路领域，由计数器、累加累减器、D触发器构成。本发明的三角波发生电路相较于之前的发明，有电路结构简单，易控制的特点。该三角波发生器电路可以作为独立模块IP，直接连入原有的ΔΣ小数分频锁相环中，实现锁相环三角波信号输出的功能。同时本发明的三角波发生电路的三角波调制周期和调制带宽均可以自由设置，不受锁相环自身结构的约束，为应用带来很大的便利。
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公开(公告)号：CN114779868A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210708247.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都铱通科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于高速数字电路的低噪声稳压电源电路，属于稳压电源电路领域，包括参考电压产生电路、宽带模拟稳压电源电路和数字校准电路，所述参考电压产生电路连接所述宽带模拟稳压电源电路，并为所述宽带模拟稳压电源电路提供参考电压；所述数字校准电路连接所述宽带模拟稳压电源电路，并通过调节模拟稳压电源的反馈系数，从而调整低噪声稳压电源电路的输出电压；所述宽带模拟稳压电源电路用于输出整个低噪声稳压电源的稳定输出电压。通过上述方式，本方案简化的参考电压产生电路，使得其输出噪声大大减低，从而显著降低整体稳压电源电路输出噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112986669B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110513915.2
申请日：2021-05-12
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01R21/06
Abstract: 本发明公开了一种射频功率检测电路，包括：射频通道和射频功率检测通道；射频通道包括射频放大器、射频功率分配器和负载，射频放大器的输入端接入射频输入，输出端连接至射频功率分配器，射频功率分配器一路输出连接至负载，另一路输出连接至射频功率检测通道；射频功率检测通道包括匹配网络和自混频器，匹配网络的输入端连接至射频功率分配器的输出端、输出端连接至自混频器，自混频器输出检测电平，本发明电路结构简单，功耗低，克服了传统方式中为了实现较高线性度的功率检测，需要增加对数放大器的级数，镇流器需要同时对每一级对数放大器的输出进行镇流的问题，同时解决了传统方式因为电路复杂引入更多误差的问题，提高了检测精度。
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公开(公告)号：CN110557130A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201911033883.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都铱通科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带外线性度增强的电流模结构的接收机前端电路，包括：输入低噪声跨导放大器、带通滤波器、第一无源混频器、第一跨阻放大器、第一输出缓冲级电路、第二无源混频器、第二跨阻放大器和第二输出缓冲级电路；本发明解决了现有的电流模射频前端电路的带外线性度变差的问题。
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公开(公告)号：CN110137698A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910432586.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS阵列透镜天线，包括天线阵列单元，每个所述天线阵列单元与水平地面之间呈角度安装，且若干个所述天线阵列单元组合呈凹透镜阵列和凸透镜阵列排列；本发明实现把MEMS天线阵列单元做成透镜的形式，其中凸透镜天线阵列单元无需转动，可扩大天线的辐射范围；凹透镜天线阵列单元，产生的信号汇聚于一点再进行发射，增强了发射强度，可实现点对点的通信；同时无需机械式的转动，天线单元本身呈一定的角度安装，加之可调制的扭动，其辐射面实现更大范围的覆盖，避免了机械式雷达依靠传统机械式转动，实现波束的扫描转动，改善了机械式扫描目标反映速度慢、更新速率低、分辨率差等的影响。
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公开(公告)号：CN108511449A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810208513.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法。包括以下步骤：采用各向异性蚀刻进行存储管蚀刻，使存储管沟道蚀刻至下选择管和衬底的边界处；采用各向同性蚀刻进行下选择管蚀刻，使下选择管拐角处形成圆弧状的栅氧结构；将多晶硅填充或单晶硅外延生长至上述蚀刻形成的沟道内。本发明将应用于三维存储器的下选择管结构，采用各项同性的干法蚀刻来实现该结构，其结构能在下选择管和衬底转角处形成更小的栅氧厚度，实现更大的导通电流，更好的器件特性。
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公开(公告)号：CN107808691A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711102053.4
申请日：2017-11-10
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明涉及一种智能CT数据诊断系统，其包括诊断箱体、匹配安装在所述诊断箱体上的智能控制单元、影像扫描装置、专家诊断单元、知识经验数据库、显示屏和无线传输单元；所述智能控制单元用于控制所述诊断系统的开关以及所述控制诊断系统有秩序的工作；所述影像扫描装置用于将CT胶片放置在CT影像放置平台上，获取用户CT影像，并将获取的影像传输给所述显示屏进行实时显示，同时将影像数据传输给所述专家诊断单元，进行诊断分析判断；所述知识经验数据库用于储存有丰富的病历案例以及对应症状所对应的CT影像资料。本发明结构设计简单、合理，操作使用方便、可靠，能帮助医生提高诊断效率，降低误诊率。
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