公开(公告)号：CN103140439A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180044473.6

申请日：2011-07-15

Applicant: 成均馆大学校产学协力团 ,  三星泰科威株式会社

Inventor： 洪秉熙 ,  安钟贤 ,  刘址范 ,  裴秀康 ,  郑明姬 ,  张镐旭 ,  李荣斌 ,  金想珍

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明涉及用于在低温形成石墨烯的方法，涉及用于直接转移使用相同方法的石墨烯的方法，以及涉及石墨烯片材。用于在低温形成石墨烯的所述方法包括供给含有碳源的气体至在衬底上形成的用于生长石墨烯的金属氧化剂层，并通过电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）方式在500℃或更低的低温形成石墨烯。