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公开(公告)号：CN101727978B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN200910178149.8
申请日：2009-10-09
Applicant: 意法半导体有限公司 , 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1441 , G06F12/0804 , G06F2212/1036 , G06F2212/7203
Abstract: 本发明提供一种在包含目标页面的要写入和读取数据的主非易失性存储器(MM)中写入和读取数据的方法，该方法包含：提供具有擦除区的非易失性缓存(NVB)；提供易失性高速缓冲存储器(CM)，接收写入命令，该写入命令旨在用长度小于页面长度的更新数据更新目标页面。该方法还包含，对写入命令作出响应：将更新数据连同第一类型的管理数据写入非易失性缓存的擦除区；并且在高速缓冲存储器中记录目标页面的更新版本或者在高速缓冲存储器中更新目标页面之前的更新版本。
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公开(公告)号：CN101727978A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910178149.8
申请日：2009-10-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F11/1441 , G06F12/0804 , G06F2212/1036 , G06F2212/7203
Abstract: 本发明提供一种在包含目标页面的要写入和读取数据的主非易失性存储器(MM)中写入和读取数据的方法，该方法包含：提供具有擦除区的非易失性缓存(NVB)；提供易失性高速缓冲存储器(CM)，接收写入命令，该写入命令旨在用长度小于页面长度的更新数据更新目标页面。该方法还包含，对写入命令作出响应：将更新数据连同第一类型的管理数据写入非易失性缓存的擦除区；并且在高速缓冲存储器中记录目标页面的更新版本或者在高速缓冲存储器中更新目标页面之前的更新版本。
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