公开(公告)号：CN108461105A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710828775.1

申请日：2017-09-14

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·曼加诺 ,  M·卡拉诺 ,  G·迪斯特法诺 ,  R·鲁吉雷洛

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06F9/4418 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0868 ,  G06F2212/214 ,  G06F2212/461 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207 ,  G06F2212/7209 ,  G11C8/20 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069

Abstract: 通过用于写入数据的非易失性闪存位置范围来提供用于用户地址范围的非易失性数据存储空间。用于写入数据的闪存位置范围大于用户地址范围(例如，4KB相对100B)。因此，针对相同用户地址的数据可以被写入闪存位置范围中的不同闪存位置，从而相应地提高了数据存储耐久性。

公开(公告)号：CN108461105B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201710828775.1

申请日：2017-09-14

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·曼加诺 ,  M·卡拉诺 ,  G·迪斯特法诺 ,  R·鲁吉雷洛

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14

Abstract: 通过用于写入数据的非易失性闪存位置范围来提供用于用户地址范围的非易失性数据存储空间。用于写入数据的闪存位置范围大于用户地址范围(例如，4KB相对100B)。因此，针对相同用户地址的数据可以被写入闪存位置范围中的不同闪存位置，从而相应地提高了数据存储耐久性。