使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置

    公开(公告)号:CN112838856A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN202011331613.5

    申请日:2020-11-24

    Inventor: F·卡克林

    Abstract: 本公开的实施例涉及一种使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置。金属氧化物半导体(MOS)晶体管具有源极端子、漏极端子、栅极端子和本体端子。源极端子被连接以接收电源电压,并且本体端子被连接以接收反向本体偏置电压。光伏电路具有被连接到MOS晶体管的源极端子的第一端子以及被连接到MOS晶体管的本体端子的第二端子。光伏电路将从环境接收的光子转换以生成反向本体偏置电压。

    时域离散变换计算
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112214724A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202010662623.0

    申请日:2020-07-10

    Inventor: F·卡克林

    Abstract: 本公开的实施例涉及时域离散变换计算。根据实施例,装置的多个计数器中的第一计数器在时域中接收多个脉宽信号。第一计数器基于离散变换矩阵的第一行,从多个脉宽信号在时域中生成第一增量信号。该装置的同步器接收第一增量信号。同步器从第一增量信号在时域中生成第一同步增量信号。装置的多个累加器中的第一累加器接收第一同步增量信号。第一累加器在一时间段上累加第一同步增量信号,以生成第一频域信号。

    用于时域离散变换计算的装置

    公开(公告)号:CN112214724B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202010662623.0

    申请日:2020-07-10

    Inventor: F·卡克林

    Abstract: 本公开的实施例涉及时域离散变换计算。根据实施例,装置的多个计数器中的第一计数器在时域中接收多个脉宽信号。第一计数器基于离散变换矩阵的第一行,从多个脉宽信号在时域中生成第一增量信号。该装置的同步器接收第一增量信号。同步器从第一增量信号在时域中生成第一同步增量信号。装置的多个累加器中的第一累加器接收第一同步增量信号。第一累加器在一时间段上累加第一同步增量信号,以生成第一频域信号。

    零功率传感器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108288622B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201810023867.7

    申请日:2018-01-10

    Abstract: 本发明涉及一种零功率传感器。集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。

    像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成

    公开(公告)号:CN112565641A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011025033.3

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本公开的各实施例涉及像素阵列中使用可重新配置的光电二极管进行高电压生成。一种成像传感器,包括像素阵列,该像素阵列包含光电二极管,光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而彼此隔离。在逐行的基础上,行控制电路装置控制像素阵列的哪些行在成像模式中操作以及像素阵列的哪些行在能量收集模式中操作。开关电路装置选择性地将在能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置,或连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置并联配置。

    集成电路
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208368507U

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201820039754.1

    申请日:2018-01-10

    Abstract: 集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    电子电路和半导体电路
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213990638U

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202022744733.X

    申请日:2020-11-24

    Inventor: F·卡克林

    Abstract: 本公开的实施例涉及电子电路和半导体电路。一种电子电路,包括:金属氧化物半导体晶体管,具有源极端子、漏极端子、栅极端子和本体端子;其中源极端子被连接以接收电源电压;以及光伏电路,具有被连接到晶体管的源极端子的第一端子以及被连接到晶体管的本体端子的第二端子,其中光伏电路转换接收到的光子以生成被施加到晶体管的本体端子的反向本体偏置电压。利用本公开的实施例,所实现的漏电流减少和功率节省将会随着光照水平变化,但是该漏电流减少和功率节省将会存在于所有光照水平下。

    成像传感器
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212752434U

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202022138976.9

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本公开的各实施例涉及成像传感器。一种成像传感器,包括像素阵列,该像素阵列包含光电二极管,光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而彼此隔离。在逐行的基础上,行控制电路装置控制像素阵列的哪些行在成像模式中操作以及像素阵列的哪些行在能量收集模式中操作。开关电路装置选择性地将在能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置,或连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置并联配置。根据本公开的实施例,提供了改进的能量收集设备。

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