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公开(公告)号：CN101542700A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000327.1
申请日：2008-09-11
Applicant: 忠北大学校产学协力团
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种室温运行的单电子器件及其制造方法，更具体地，本发明涉及一种室温运行的单电子器件及其制造方法，其中多个成串形成的金属硅化物点用作多量子点。
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