公开(公告)号：CN113474860A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080016308.9

申请日：2020-02-25

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： V·G·卡娜勒卡 ,  R·马丁内斯 ,  Z·张 ,  Y·楚

IPC: H01F41/00 ,  B32B7/00 ,  H01F27/30 ,  H01F27/36

Abstract: 一种封装电子器件(100)包括至少部分暴露于封装结构(120)的外部的第一导电引线(124‑131)和第二导电引线(132‑139)，以及在封装结构(120)中的多级层压结构(112)。该多级层压结构(112)包括：第一图案化导电特征部(111)，其在第一层级中具有多个线匝以形成在第一电路(161)中耦合至第一导电引线(124‑131)中的至少一个第一导电引线的第一绕组；第二图案化导电特征部(109)，其在不同层级中具有多个线匝以形成在与第一电路(161)隔离的第二电路(162)中耦合至第二导电引线(132‑139)中的至少一个第二导电引线的第二绕组；以及导电屏蔽迹线(111S)，其在与第一图案化导电特征部(111)和第二图案化导电特征部(109)间隔开并位于它们之间的第二层级中具有多个线匝，该导电屏蔽迹线(111S)耦合在第一电路(161)中。