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公开(公告)号：CN107710163B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680035012.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 在所描述的示例中，一种用于一次写入型存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统包括被安排发送数据字的主机处理器，该数据字将被存储到WOM(一次写入型存储器)装置中。主机接口被安排接收(710)第一数据字用于通过WOM控制器和ECC控制器处理。WOM控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(720)第一WOM编码的字，而ECC控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(730)第一组ECC位。存储器装置接口用于根据与第一数据字相关的存储器地址，将第一WOM编码的字和第一组ECC位写入(740)WOM装置。
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公开(公告)号：CN107710163A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035012.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: G06F11/08 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0673 , G06F11/1004 , G06F11/1016 , G06F11/1048 , G06F11/1072 , G06F11/1076 , G06F12/0246 , G11C29/52 , H03M13/13
Abstract: 在所描述的示例中，一种用于一次写入型存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统包括被安排发送数据字的主机处理器，该数据字将被存储到WOM(只写存储器)装置中。主机接口被安排接收(710)第一数据字用于通过WOM控制器和ECC控制器处理。WOM控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(720)第一WOM编码的字，而ECC控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(730)第一组ECC位。存储器装置接口用于根据与第一数据字相关的存储器地址，将第一WOM编码的字和第一组ECC位写入(740)WOM装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106448732A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610656244.4
申请日：2016-08-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C29/38 , G11C7/1006 , G11C7/24 , G11C16/22 , G11C16/349 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/36 , G11C2207/2263 , G11C16/10
Abstract: 本发明涉及半导体存储器单元多写避免编码装置、系统和方法，公开要被写入到存储器位置(205)的数据字(215)以多写避免(“MWA”)码字进行增量编码。MWA码字导致不将包含逻辑“0”的单个位存储单元重写为“0”状态，并且不将逻辑1”重写到已经被写入一次逻辑“1”的单元。由差字DELTA_D(228A、228B)编索引存储在查找表(“LUT”)(235)中的潜在的MWA码字(236)。DELTA_D(228A、228B)表示当前存储在存储器位置(205)处的数据字(212)和要被存储在存储器位置位差(“增量”)。如果MWA码字没有违反多写避免的原理，则验证和选择逻辑(245)选择表示要被写入的NEW_D(215)的MWA码字。一些实施例使用模式生成器而不是从LUT(235)中索引MWA码字来生成MWA码字。(205)处的新的数据字(“NEW_D”)(215)之间的逐
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公开(公告)号：CN106448732B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201610656244.4
申请日：2016-08-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明涉及半导体存储器单元多写避免编码装置、系统和方法，公开要被写入到存储器位置(205)的数据字(215)以多写避免(“MWA”)码字进行增量编码。MWA码字导致不将包含逻辑“0”的单个位存储单元重写为“0”状态，并且不将逻辑“1”重写到已经被写入一次逻辑“1”的单元。由差字DELTA_D(228A、228B)编索引存储在查找表(“LUT”)(235)中的潜在的MWA码字(236)。DELTA_D(228A、228B)表示当前存储在存储器位置(205)处的数据字(212)和要被存储在存储器位置(205)处的新的数据字(“NEW_D”)(215)之间的逐位差(“增量”)。如果MWA码字没有违反多写避免的原理，则验证和选择逻辑(245)选择表示要被写入的NEW_D(215)的MWA码字。一些实施例使用模式生成器而不是从LUT(235)中索引MWA码字来生成MWA码字。
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公开(公告)号：CN106201763B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610480588.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种用于可写入一次存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统，包括，例如用于在WOM(只写存储器)模式和ECC(纠错码)模式之间选择一个的控制器。一种编解码器布置为在所选的模式中操作。所述编解码器在所述ECC模式中操作时，布置为响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位，标识至少一个位错误的位位置。所述编解码器在所述WOM模式中操作时，布置为从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收要编码且写到所述编址地址的第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的编址位置的WOM编码的字。所述用于写到所述编址位置的WOM编码的字可选地是ECC编码的。
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公开(公告)号：CN106201763A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610480588.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种用于可写入一次存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统，包括，例如用于在WOM(只写存储器)模式和ECC(纠错码)模式之间选择一个的控制器。一种编解码器布置为在所选的模式中操作。所述编解码器在所述ECC模式中操作时，布置为响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位，标识至少一个位错误的位位置。所述编解码器在所述WOM模式中操作时，布置为从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收要编码且写到所述编址地址的第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的编址位置的WOM编码的字。所述用于写到所述编址位置的WOM编码的字可选地是ECC编码的。
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公开(公告)号：CN113223601A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110583253.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开一次写入型存储器码的纠错码管理的电路、系统和方法。在所描述的示例中，一种用于一次写入型存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统包括被安排发送数据字的主机处理器，该数据字将被存储到WOM(一次写入型存储器)装置中。主机接口被安排接收(710)第一数据字用于通过WOM控制器和ECC控制器处理。WOM控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(720)第一WOM编码的字，而ECC控制器用于响应于第一数据字的原始符号生成(730)第一组ECC位。存储器装置接口用于根据与第一数据字相关的存储器地址，将第一WOM编码的字和第一组ECC位写入(740)WOM装置。
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