公开(公告)号：CN115698640A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180043453.0

申请日：2021-04-22

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： C·S·卡兰 ,  M·M·伊塔洛 ,  S·A·朗高 ,  B·J·图塞克 ,  S·R·纳加佩特

IPC: G01D5/14 ,  G06F1/16 ,  H04M1/02

Abstract: 本说明书涉及设备和/或设备附件。一个示例可包括被配置成感测沿感测轴的磁场的霍尔效应传感器和具有与感测轴相垂直的同轴且相反的磁轴的一对细长磁体。

公开(公告)号：CN108028247A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054127.9

申请日：2016-08-05

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： F·德门肖诺克 ,  S·A·朗高 ,  D·I·罗森

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H02H9/04 ,  G06K9/00

CPC classification number: G06F3/03547 ,  G06F3/02 ,  G06K9/00053 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248

Abstract: 本文中公开了美观隐藏式静电放电(ESD)保护结构及系统。在一个示例中，提供了一种电子设备。该电子设备包括集成电路和至少部分地围绕该集成电路的周界定位的ESD保护结构，其中该ESD保护结构被配置成保护集成电路免受静电放电冲击。该电子设备进一步包括被定位在ESD保护结构的表面上的隐蔽层，该隐蔽层被配置成至少部分地隐藏ESD保护结构不让查看。