公开(公告)号：CN107110999B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201580055051.7

申请日：2015-10-07

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： K·鲍威尔 ,  J·卢蒂安

IPC: G02B1/113 ,  G02B5/124

Abstract: 可通过利用诸如硅之类的立方晶体点阵的蚀刻或生长技术以接近原子精确度的数量级来形成用于后向成像系统的工具和光学元件。可直接使用通过涂覆和透明树脂层压的选择性蚀刻或外延生长来形成元件，或者通过低收缩树脂或双填充模制技术的使用来复制元件以避免收缩和弯曲。通过使用这些高度精确的反射/衍射元件，漂浮图像可例如在后向反射成像系统中以相对高的分辨率被形成。

公开(公告)号：CN107110999A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580055051.7

申请日：2015-10-07

Applicant: 微软技术许可有限责任公司

Inventor： K·鲍威尔 ,  J·卢蒂安

IPC: G02B1/113 ,  G02B5/124

Abstract: 可通过利用诸如硅之类的立方晶体点阵的蚀刻或生长技术以接近原子精确度的数量级来形成用于后向成像系统的工具和光学元件。可直接使用通过涂覆和透明树脂层压的选择性蚀刻或外延生长来形成元件，或者通过低收缩树脂或双填充模制技术的使用来复制元件以避免收缩和弯曲。通过使用这些高度精确的反射/衍射元件，漂浮图像可例如在后向反射成像系统中以相对高的分辨率被形成。