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公开(公告)号：CN103738964B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310743175.7
申请日：2013-12-30
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法，其步骤为：以人造石墨粉、活性炭粉、鳞片石墨粉中的一种为碳源，以硅粉、无定形态氧化硅粉末、纳米级氧化硅粉末中的一种或任意几种为硅源，将碳源和硅源充分混合后置于微波谐振腔中，将微波谐振腔抽真空，然后利用微波辐照加热碳源和硅源形成的混合物，保温反应，得到SiC/SiO2同轴纳米线。本方法利用高能微波辐照，快速、高效的得到大量纳米线，产物均匀、纯净且形态可控；该方法简单高效，成本低廉，重现性好，不需要进行原料的预处理，无需催化剂、模板以及衬底，且纳米线产率高，利于进行大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN104532549A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410751061.1
申请日：2014-12-10
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院
IPC: D06M11/77 , C01B31/36 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种碳/碳化硅同轴纤维，其步骤为：将碳纤维、硅粉、二氧化硅粉充分混合后形成混合体，并置于真空或惰性气体常压保护条件下；利用微波对混合体加热，使碳纤维表面活化并激发高温反应，得到碳/碳化硅同轴纤维。该制备方法简单便捷、快速高效的得到结构理想、抗氧化性能优越的C/SiC同轴纤维。产物均匀、纯净无杂质、且形态可控。此外，由于采用微波诱导等离子体辐照技术，具有加热速度快，加热均匀，热惯性小，生产周期短等优势，进一步降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN104003376A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410214831.9
申请日：2014-05-21
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种快速制备高比表面积氧化石墨烯的方法，其步骤为：1)利用化学氧化法制备得到氧化石墨前驱体；2)配制叔丁醇与水混合介质；3)将氧化石墨前驱体分散于叔丁醇与水混合介质中，制备成均匀分散的悬浮液或乳液；4)将氧化石墨悬浮液或乳液进行真空冻干处理，即可得到表面积增大的氧化石墨烯。通过调节叔丁醇/水混合介质的相对比例，可调节冻干周期，以及氧化石墨烯的剥离程度。该制备方法通过叔丁醇的引入，有效降低了制备周期，降低了生产成本，简化了生产工艺，改善了氧化石墨烯产品结构性质，提高了其比表面积。
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公开(公告)号：CN104532549B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410751061.1
申请日：2014-12-10
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院
IPC: D06M11/77 , C01B31/36 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种碳/碳化硅同轴纤维，其步骤为：将碳纤维、硅粉、二氧化硅粉充分混合后形成混合体，并置于真空或惰性气体常压保护条件下；利用微波对混合体加热，使碳纤维表面活化并激发高温反应，得到碳/碳化硅同轴纤维。该制备方法简单便捷、快速高效的得到结构理想、抗氧化性能优越的C/SiC同轴纤维。产物均匀、纯净无杂质、且形态可控。此外，由于采用微波诱导等离子体辐照技术，具有加热速度快，加热均匀，热惯性小，生产周期短等优势，进一步降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN103738964A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310743175.7
申请日：2013-12-30
Applicant: 张家港市东大工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法，其步骤为：以人造石墨粉、活性炭粉、鳞片石墨粉中的一种为碳源，以硅粉、无定形态氧化硅粉末、纳米级氧化硅粉末中的一种或任意几种为硅源，将碳源和硅源充分混合后置于微波谐振腔中，将微波谐振腔抽真空，然后利用微波辐照加热碳源和硅源形成的混合物，保温反应，得到SiC/SiO2同轴纳米线。本方法利用高能微波辐照，快速、高效的得到大量纳米线，产物均匀、纯净且形态可控；该方法简单高效，成本低廉，重现性好，不需要进行原料的预处理，无需催化剂、模板以及衬底，且纳米线产率高，利于进行大规模工业化生产。
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