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公开(公告)号：CN104247177A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280067209.9
申请日：2012-11-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3407
Abstract: 包括了一种量子级联激光器结构的实施例。一些实施例包括多个量子阱和多个势垒，至少其中一部分定义了活性区域。在一些实施例中，当电子从该活性区域内的高激光能态跃迁到该活性区域内的低激光能态时，该活性区域内发射出光子。此外，多个量子阱中的最后一个量子阱能定义该活性区域，其中该最后一个量子阱在该活性区域中一邻近量子阱下方延伸。类似地，该最后一个量子阱可包括比该活性区域内的该邻近量子阱的厚度较小的厚度。
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公开(公告)号：CN102498584A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080039743.X
申请日：2010-09-02
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 提供一种光电子发光半导体装置，该光电子发光半导体装置包括：活性区域(10)、p型III族氮化物层(20)、n型III族氮化物层(30)、p侧金属接触层(40)、n侧金属接触层(50)以及无掺杂的隧穿增强层(60)。P侧金属接触层的特征在于：逸出功W满足以下关系：W≤e-AFF±0.025eV其中，e-AFF是无掺杂隧穿增强层的电子亲和能。该无掺杂隧穿增强层和p型III氮化物层包括导带和价带。无掺杂隧穿增强层的价带的顶部V1在带偏移界面处位于p型III族氮化物层的价带的顶部V2之上，以产生在带偏移界面处在无掺杂隧穿增强层中具有相对较高浓度空穴的能力。披露并要求附加的实施例。
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公开(公告)号：CN101849277A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880115390.X
申请日：2008-09-30
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01S5/34 , H01L21/324
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01L21/02546 , H01L21/02664 , H01L29/205 , H01S5/3414
Abstract: 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。
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公开(公告)号：CN101689749A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880017940.4
申请日：2008-05-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3216 , H01S2301/173
Abstract: 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。
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公开(公告)号：CN101080857A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043081.2
申请日：2005-12-15
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H04B10/807
Abstract: 提供了以光学方式给网络组件(比如微微单元的应答器)供能的系统和方法。该系统包括：垂直腔面发射激光器(VCSEL)，用于处理输入信号；远程光能源；以及光纤，用于将来自源的光能传递到VCSEL。VCSEL可以根据耦合到光纤的光电转换器所产生的电流来进行电偏置，或者根据来自光能源的光进行直接光偏置。偏置T形器连接在输入信号和VCSEL的输入之间，使得VCSEL产生调制光信号。该系统可以是微微单元系统的应答器，其中VCSEL产生通过相同或单独的光纤而被传递到头端电路的光上行链路信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662750B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380011255.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/32 , B82Y20/00 , G01N21/59 , H01S5/1071 , H01S5/3402 , H01S5/42
Abstract: 披露了布置在同心圆内的多表面发射中IR多波长分布反馈量子级联环形激光器。激光器利用量子级联芯设计以在中红外区内产生光增益，并可同时或顺序地产生若干波长。也披露了制造和使用这些设备的方法。
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公开(公告)号：CN102246369B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980151576.5
申请日：2009-12-14
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/041 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/34333
Abstract: 提供了包括有源和/或无源MQW区的多量子阱激光器结构。每个MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层。毗邻的MQW区被间隔层分开，间隔层比介于MQW之间的势垒层厚。量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙。有源区可包括有源和无源MQW，且被配置用于光子的电泵浦受激发射，或它可包括被配置用于光子的光泵浦受激发射的有源MQW区。
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公开(公告)号：CN103370842A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280009005.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/3406 , H01S5/34333
Abstract: 根据本公开的概念，预计一些激光二极管波导配置，其中在激光器的波导层中的Al的使用是以包含光约束阱(22；InGaN)以及应变补偿势垒(24；Al(In)GaN)的InGaN/Al(In)GaN波导上层结构的形式出现的。选择光约束阱（22）的成分，以使它们即便在存在Al(In)GaN应变补偿势垒（24）时也提供很强的光约束但不吸收激光发射。选择应变补偿势垒（24）的成分，以使Al(In)GaN表现出拉伸应变，该拉伸应变补偿了InGaN光约束阱（22）的压缩应变但不妨碍光约束。
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公开(公告)号：CN101849277B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200880115390.X
申请日：2008-09-30
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01S5/34 , H01L21/324
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01L21/02546 , H01L21/02664 , H01L29/205 , H01S5/3414
Abstract: 量子阱混合(QWI)方法的实施方式，该方法包括：提供具有上外延层和下外延层(10、13)的晶片(1)，各外延层包括阻挡层，设置在上外延层和下外延层(10、13)之间的量子阱层(11)；在上外延层之上施加至少一个牺牲层(21)；通过在牺牲层的一部分之上施加QWI加强层(31)从而形成QWI加强区域和QWI抑制区域，其中，QWI加强层(31)之下的一部分是QWI加强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法进一步包括在QWI加强区域和QWI抑制区域之上施加QWI抑制层(41)的步骤，以及在足以使量子阱层(11)和上外延层与下外延层(10、13)的阻挡层之间的原子发生相互扩散的温度下进行退火的步骤。
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公开(公告)号：CN101689749B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200880017940.4
申请日：2008-05-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3216 , H01S2301/173
Abstract: 提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN晶格调整层(30)的AlN或GaN衬底上，其中激光器的衬底(20)、晶格调整层(30)、下覆区(60)、有源波导区(40)、上覆区(50)以及N和P型接触区(70，60)在半导体激光器中形成一结构连续。公开并要求保护了另外的实施例。
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