用于光纤的卤素共掺杂的纤芯和光纤的制造方法

    公开(公告)号:CN112805253A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980065826.7

    申请日:2019-08-01

    Abstract: 一种形成光纤的方法,其包括:在1.5atm至40atm的压力下,将烟炱纤芯预制件暴露于掺杂剂气体,所述烟炱纤芯预制件包含二氧化硅,所述掺杂剂气体包含第一卤素掺杂前体和第二卤素掺杂前体,所述第一卤素掺杂前体以第一卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂,以及所述第二卤素掺杂前体以第二卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂;以及对烟炱纤芯预制件进行烧结以形成经卤素掺杂的闭孔体,所述经卤素掺杂的闭孔体的所述第一卤素掺杂剂和所述第二卤素掺杂剂的总浓度是至少2.0重量%。

    用于光纤预制件的卤素掺杂的二氧化硅

    公开(公告)号:CN111315696A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201880070892.9

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 描述了卤素掺杂的二氧化硅的制备。制备包括用高卤素浓度掺杂二氧化硅以及将经过卤素掺杂的二氧化硅烧结至闭孔状态。烧结包括高压烧结处理和低压烧结处理。在存在高分压气相卤素掺杂前体的情况下进行高压烧结处理,并且将二氧化硅烟炱体致密化成为部分固结状态。在存在低分压气相卤素掺杂前体的情况下进行低压烧结处理,并且将部分固结的二氧化硅体转变为闭孔状态。产物卤素掺杂的二氧化硅玻璃在拉制过程中加热形成光纤或者在再拉制过程中加热形成纤芯坯棒时几乎不展现出发泡。

    用于光纤的卤素掺杂二氧化硅预制件的制造方法

    公开(公告)号:CN112805252B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201980065820.X

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 描述了卤素掺杂的二氧化硅的制备。制备包括:用高卤素浓度掺杂二氧化硅,以及在具有低的不可渗透性气体分压的气相环境中将经过卤素掺杂的二氧化硅烧结至闭孔状态。难以从经过卤素掺杂的光纤预制件去除不可渗透性气体,并且导致从预制件拉制得到的光纤中的缺陷。烧结环境中的低分压的不可渗透性气体导致低浓度的不可渗透性气体以及致密化的经卤素掺杂的二氧化硅中的低密度的气相空穴。得到具有较少缺陷的预制件。

    用于光纤的卤素掺杂二氧化硅预制件的制造方法

    公开(公告)号:CN112805252A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980065820.X

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 描述了卤素掺杂的二氧化硅的制备。制备包括:用高卤素浓度掺杂二氧化硅,以及在具有低的不可渗透性气体分压的气相环境中将经过卤素掺杂的二氧化硅烧结至闭孔状态。难以从经过卤素掺杂的光纤预制件去除不可渗透性气体,并且导致从预制件拉制得到的光纤中的缺陷。烧结环境中的低分压的不可渗透性气体导致低浓度的不可渗透性气体以及致密化的经卤素掺杂的二氧化硅中的低密度的气相空穴。得到具有较少缺陷的预制件。

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