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公开(公告)号:CN106663745B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201580047709.X
申请日:2015-09-03
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , B03C1/015 , H01F1/0045 , H01F1/0063 , H01F41/24 , H01F41/30 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,更具体地,涉及一种能够通过改善分布在基质层内部的光散射颗粒的分散性和基底粘附性而提高有机发光二极管的光提取效率和结构稳定性的制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法。为此,本发明提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,所述方法包括:将透明磁性纳米颗粒与挥发性的第一溶液混合的第一混合步骤;将包含非磁性氧化物颗粒的第二溶液、通过第一混合步骤形成的混合液体和光散射颗粒进行混合的第二混合步骤;用通过第二混合步骤形成的涂覆溶液涂覆基础基底的涂覆步骤;在基础基底的下部上将磁场施加到涂覆溶液侧以对涂覆溶液内部包括的透明磁性纳米颗粒进行磁性排列的磁场施加步骤。
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公开(公告)号:CN106663745A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580047709.X
申请日:2015-09-03
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , B03C1/015 , H01F1/0045 , H01F1/0063 , H01F41/24 , H01F41/30 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,更具体地,涉及一种能够通过改善分布在基质层内部的光散射颗粒的分散性和基底粘附性而提高有机发光二极管的光提取效率和结构稳定性的制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法。为此,本发明提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法,所述方法包括:将透明磁性纳米颗粒与挥发性的第一溶液混合的第一混合步骤;将包含非磁性氧化物颗粒的第二溶液、通过第一混合步骤形成的混合液体和光散射颗粒进行混合的第二混合步骤;用通过第二混合步骤形成的涂覆溶液涂覆基础基底的涂覆步骤;在基础基底的下部上将磁场施加到涂覆溶液侧以对涂覆溶液内部包括的透明磁性纳米颗粒进行磁性排列的磁场施加步骤。
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公开(公告)号:CN103779510A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310503837.3
申请日:2013-10-23
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , C03C17/245 , C03C17/3417 , C03C2217/216 , C03C2218/1525
Abstract: 一种制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法,用所述方法可以人工控制从所述OLED发出的光的散射分布。所述方法包括通过将无机氧化物在基底基板上至少两次沉积来形成光提取层的步骤,从而控制在所述光提取层的表面上形成的纹理的结构。
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公开(公告)号:CN107112441B
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201580070258.1
申请日:2015-12-16
Applicant: 康宁精密素材株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件,具体地,涉及一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法、一种用于有机发光元件的光提取基底以及一种包括该光提取基底有机发光元件,所述方法能够改善有机发光元件的光提取效率,还能提高发光均匀性。为此,本发明提供一种制造用于有机发光元件的光提取基底的方法,所述方法包括:通过将大量的散射颗粒与无机粘合剂进行混合来制备混合物的混合物制备步骤;在基础基底上涂覆混合物的混合物涂覆步骤;通过在涂覆的混合物上涂覆无机材料来形成缓冲层的缓冲层形成步骤;对混合物和缓冲层进行烧制的烧制步骤;在烧制步骤中形成在混合物和缓冲层中的裂纹中形成由金属制成的第一电极的第一电极形成步骤;在第一电极上形成电连接到第一电极的第二电极的第二电极形成步骤。
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公开(公告)号:CN105518896B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201480049647.1
申请日:2014-07-16
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0094 , H01L51/0096 , H01L51/50 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 提供了用于制造超薄有机发光装置的方法,所述装置的光提取效率可改善且厚度可显著减小。所述方法包括以下步骤:用聚合物材料涂覆支撑体,用玻璃料浆料涂覆聚合物材料,在聚合物材料分解的温度下热处理所得的结构以使通过热处理由玻璃料浆料形成的玻璃料基板与支撑体分离,以及在已涂覆聚合物材料的玻璃料基板的一个表面上形成装置层。装置层包括顺序布置于玻璃料基板的一个表面上的第一电极、有机发光层和第二电极。
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公开(公告)号:CN105723540A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201480062362.1
申请日:2014-11-12
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , G02B5/0247 , G02B5/0278 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于有机发光元件的光提取基底、一种制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件,更具体地,涉及一种表现出良好光提取效率的用于有机发光元件的光提取基底、一种用于制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件。为此,本发明提供了一种用于有机发光元件的光提取基底、一种用于制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件,所述光提取基底包括:第一光提取层,在其中形成有多个气孔且由掺杂有掺杂剂的第一金属氧化物制成;第二光提取层,形成在第一光提取层上且由具有相比于第一金属氧化物不同的原子扩散速率的第二金属氧化物制成。
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公开(公告)号:CN103258865A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310055360.7
申请日:2013-02-21
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L51/52 , H01L51/56
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/1884 , H01L51/0001 , H01L51/0096 , H01L51/442 , H01L51/447 , H01L51/5209 , H01L51/5268 , H01L2251/305 , Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24364
Abstract: 具有高雾度值的氧化物薄膜基板、它的制造方法及包括它的光伏电池和有机发光器件。所述氧化物薄膜基板包括在它的表面上具有第一纹理的基底基板和在所述基底基板上形成的透明氧化物薄膜。所述透明氧化物薄膜在它的表面上具有第二纹理。
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公开(公告)号:CN103490015B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201310233676.0
申请日:2013-06-13
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , B32B3/30 , B32B5/145 , B32B7/005 , Y10T428/24273 , Y10T428/24355 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545 , Y10T428/24595 , Y10T428/24612 , Y10T428/2462
Abstract: 用于有机发光装置(OLED)的光提取基板及它的制造方法,所述用于有机发光装置的光提取基板通过改善光提取效率可改善应用OLED的显示器或照明系统的亮度。所述用于OLED的光提取基板包括形成在基板主体上的氧化物或氮化物薄膜。所述氧化物或氮化物薄膜包括形成在所述基板主体上的基层、形成在所述基层上的第一纹理和第二纹理,所述第一纹理具有多个从所述基层连续或不连续地伸出的第一突起物,所述第二纹理具有从所述第一突起物的每个外表面多个连续或不连续地伸出的第二突起物。
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公开(公告)号:CN105723540B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201480062362.1
申请日:2014-11-12
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , G02B5/0247 , G02B5/0278 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于有机发光元件的光提取基底、一种制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件,更具体地,涉及一种表现出良好光提取效率的用于有机发光元件的光提取基底、一种用于制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件。为此,本发明提供了一种用于有机发光元件的光提取基底、一种用于制造该光提取基底的方法和一种包括该光提取基底的有机发光元件,所述光提取基底包括:第一光提取层,在其中形成有多个气孔且由掺杂有掺杂剂的第一金属氧化物制成;第二光提取层,形成在第一光提取层上且由具有相比于第一金属氧化物不同的原子扩散速率的第二金属氧化物制成。
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