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公开(公告)号：CN110804729B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910717274.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触，这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
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公开(公告)号：CN107004619B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN108352353A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065312.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/4583 , C23C16/4581 , C23C16/4584 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 在一个实施方式中，提供一种基座，包含：第一主要表面，所述第一主要表面与第二主要表面相对；和设置于所述第一主要表面上的多个接触结构，这些接触结构的每一者至少部分地被多个径向定向的凹槽的其中一者或多者和环状凹槽环绕，其中所述多个接触结构的每一者包含基板接触表面，这些基板接触表面的每一者位于以0.1毫米的距离分开的两个平行平面之间，且这些基板接触表面界定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN105027275B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201480010968.0
申请日：2014-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哲鹏·丛 , 巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 , 石井雅人 , 李学斌 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 刘树坤 , 保罗·布里尔哈特
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H05B1/0227 , H05B2203/032
Abstract: 本发明的实施方式大体涉及基座支撑杆及包括该基座支撑杆的处理腔室。基座支撑杆支撑基座于基座支撑杆上，该基座又在处理期间支撑基板。即使当旋转基座支撑杆时，基座支撑杆也能通过为射向基座和/或基板的高温计聚焦射束提供一致的路径而减小基座和/或基板的温度测量的变化。基座支撑杆还具有相对较低的热质量，这增加了处理腔室的升温及降温速率。在一些实施方式中，为了获得最佳的外延处理厚度均匀性，可在实心盘的顶部上可移除地放置定制的折射元件以在基座和/或基板各处重新分布二次热分布。
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公开(公告)号：CN110804729A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910717274.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触，这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004619A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN105027275A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010968.0
申请日：2014-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 哲鹏·丛 , 巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 , 石井雅人 , 李学斌 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 刘树坤 , 保罗·布里尔哈特
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H05B1/0227 , H05B2203/032
Abstract: 本发明的实施方式大体涉及基座支撑杆及包括该基座支撑杆的处理腔室。基座支撑杆支撑基座于基座支撑杆上，该基座又在处理期间支撑基板。即使当旋转基座支撑杆时，基座支撑杆也能通过为射向基座和/或基板的高温计聚焦射束提供一致的路径而减小基座和/或基板的温度测量的变化。基座支撑杆还具有相对较低的热质量，这增加了处理腔室的升温及降温速率。在一些实施方式中，为了获得最佳的外延处理厚度均匀性，可在实心盘的顶部上可移除地放置定制的折射元件以在基座和/或基板各处重新分布二次热分布。
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公开(公告)号：CN104756231A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055524.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘树坤 , 哲鹏·丛 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 叶祉渊 , 戴维·K·卡尔森 , 李学斌 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/45514 , C30B25/14
Abstract: 提供用于在处理腔室中处理基板的设备。在一些实施方式中，用于处理腔室中的气体注射器包括第一组出口，该第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和邻接该第一组出口的第二组出口，该第二组出口大致上沿着该平面表面提供第二工艺气体的加压层流，该平面表面正交于该第二组出口延伸。
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公开(公告)号：CN116043191B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202310037948.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
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公开(公告)号：CN116043191A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310037948.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
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