-
公开(公告)号:CN119325852A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411780707.9
申请日:2024-12-05
Abstract: 本发明涉及植物培养技术领域,公开了一种植物根系生长的调控方法,无机土壤的干燥、苗木或扦插活树桩根部固定、开挖土坑、土壤处理、敷设隔离膜以及回填无机土壤等步骤。本发明植物根部非生根区采用相对干燥、有机物含量少的无机土壤回填并用隔离膜覆盖,隔离植茎与周围土体的水分和养分交换,形成抑制植茎根系发展的人工改良土壤环境,使植物根系在该区域内不生长或少生长。植物根部生根区提前注入根系生长所需营养成分形成利于植物根系充分发展的土壤环境,利用植物根系亲水性和亲矿物性的特点引导植物根系在该区域充分发展,以达到调控植物根系在深层土体充分生长的目的。