一种MOS工艺的功率放大器装置及系统

    公开(公告)号:CN112234947B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202011002300.5

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置,所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器,其中,主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号;主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接;所述截断波产生器,用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号,从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备,进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。

    一种MOS工艺的功率放大器装置及系统

    公开(公告)号:CN112234947A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202011002300.5

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置,所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器,其中,主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号;主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接;所述截断波产生器,用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号,从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备,进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。

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