公开(公告)号：CN119890032A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510089480.1

申请日：2025-01-21

Applicant: 广州南沙地大滨海研究院 ,  中国地质大学(武汉)

Inventor： 孙庆磊 ,  李嘉宁 ,  蒋宏勇 ,  刘富初 ,  崔粲 ,  李施霖 ,  陈博远

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法，包括样品预处理、制备DLC辅助层、制备GaN/金刚石的散热模块以及抛磨Si/DLC辅助层得到完整的GaN/金刚石模块。本发明的有益效果是：在生长金刚石外延层的过程中，使用石墨毡覆盖包裹DLC辅助层，保温并产生热量梯度，以辅助GaN进行应力释放，提高GaN的稳定性和GaN/金刚石模块的成品率。

公开(公告)号：CN119650446A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411938499.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 广州南沙地大滨海研究院 ,  中国地质大学(武汉) ,  中国地质大学深圳研究院 ,  中山大学惠州研究院

Inventor： 孙庆磊 ,  李嘉宁 ,  刘富初 ,  蒋宏勇 ,  李施霖 ,  陈博远

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种纳米孪晶铜沉积基材的键合方法，包括陶瓷基板的预处理、Ti层镀层的磁控溅射、使用磁控溅射设备制备静电喷雾辅助磁控溅射纳米孪晶铜层和GaN功率模块烧结连接。本发明在较低的温度下，高取向性的纳米孪晶铜能够与纳米银膏之间进行高效的扩散，能够拥有更高效的结合强度；同时在空气和保护性气体中都可以进行烧结，从材料、实验条件、烧结条件等方面都相较于传统DBC键合方法相比能够达到更高的键合强度以及时效性能，同时相比于镀银板又有着明显的经济成本的降低。