公开(公告)号：CN116312698A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310369498.8

申请日：2023-04-07

Applicant: 广东通宇通讯股份有限公司

Inventor： 李标 ,  刘崇山 ,  马建峰 ,  李康迅 ,  罗子辉 ,  黄攀

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

Abstract: 本公开提供了一种提高Flash读写效率和寿命的方法，涉及储存芯片技术领域。方法包括：接收微控制器传输的指令值；遍历查找Flash存储器中值有效标志位状态为0的储存单元；从有效标志位状态为0的储存单元开始，找到记载的最新值；判断当前Flash Page空间是否饱和，若是，则开辟新的Flash Page空间，并将当前Flash Page空间擦除，然后将指令值写入最新值末尾，若否，则直接将指令值最新值末尾，每次更新，只要指令值写入最新值末尾，旧值不变，每次更新在都在最后面更新，这样整页写完之后，再开辟新的Flash Page空间，并将当前Flash Page空间擦除，这样不用写入一次将整页擦除再写入一次，写入效率高了，且使用寿命也可以满足要求。