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公开(公告)号：CN119510920A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411637830.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 广东电网有限责任公司珠海供电局 , 华北电力大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明涉及空间电荷测量技术领域，公开了一种高温电声脉冲法空间电荷测量装置及方法，包括测量单元、上电极单元和下电极单元；所述测量单元包括接线装置和信号采集装置；所述上电极单元包括上电极、套设在所述上电极上的第一壳体和设置在所述第一壳体内部的加热装置；所述接线装置与所述上电极电连接；所述下电极单元包括下电极，所述下电极的下方与所述信号采集装置连接。本发明的上电极和下电极能够同时给样品上下表面加热，使样品迅速升温；下电极下方设置有水冷装置，保证压电传感器在安全工作温度工作。使用该高温下电声脉冲空间电荷测量装置，在测量高温下空间电荷特性时，能够样品均匀受热快速升温到所设定的温度。
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公开(公告)号：CN119050091B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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公开(公告)号：CN119050091A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118969739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
Abstract: 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
Abstract: 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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公开(公告)号：CN114545184A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210159329.7
申请日：2022-02-22
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法，属于压接型IGBT器件领域，罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号，模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号，通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号，模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号，从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量，减少硬件资源占用，降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性，实现了多芯片电流的跨周期分时测量，同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠，降低了系统运行成本。
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公开(公告)号：CN112420812A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011292087.6
申请日：2020-11-18
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高压功率芯片的深结复合终端结构，所述复合终端结构包括:横向变掺杂区域、结终端延伸区域和SIPOS结构；所述横向变掺杂区域为在多个不同渐变掺杂区窗口的遮掩下注入铝离子，再经高温扩散形成的区域；所述结终端延伸区域设置在所述横向变掺杂区域(VLD)的末端，并与所述横向变掺杂区域呈部分交叠设置，所述结终端延伸区域(JTE)为棚离子在高温下扩散形成的区域；所述SIPOS结构设置在所述横向变掺杂区域和结终端延伸区域的上部。本发明将SIPOS结构覆盖于横向变掺杂区域和结终端延伸区域之上来减少终端区的面积，提高其终端效率，降低界面电荷对终端结构击穿电压的影响，达到在存在界面电荷的情况下满足3.3kV等级的耐压要求。
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