一种铸铜转子感应电机
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106787552A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710112032.4

    申请日:2017-02-28

    CPC classification number: H02K17/165 H02K3/28

    Abstract: 本发明涉及一种铸铜转子感应电机,包括定子、转子和转轴,所述转子位于定子内,且定子和转子之间有气隙,所述定子包括定子齿、定子槽、电枢绕组和定子轭,所述转子包括转子铁心、导条和端环;其创新点在于:所述电枢绕组采用的绕组型式为单双层绕组,将短距绕组中的同一相的上下层导体合起来用单层绕组,而不同相的上下层导体采用双层绕组,并按同心式双层绕组端部形状将其端部连接起来,形成单双层绕组,转子导条采用上宽下窄、上下底以转轴轴心为圆心的同心弧线的新型结构。本发明可改善起动性能,节省定子绕组及转子鼠笼用铜,降低电机温升,提高电机效率。

    基于图像信息熵与自适应阈值DAISY特征点的图像检测方法

    公开(公告)号:CN109766924B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN201811561702.1

    申请日:2018-12-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于图像信息熵与自适应阈值DAISY特征点的图像检测方法。由于常见图像检测算法会出现特征点分布不均匀且在局部区域稀少的问题,导致后续重建中点云会出现空洞现象。本发明首先通过统计分析确定了图像信息熵与SIFT特征点密度的约束关系;其次提出了一种基于图像信息熵的自适应阈值SIFT特征检测器,解决了特征点分布不均的问题;然后针对SIFT特征点在非极值特征点处可靠性降低,提出采用改进的DAISY特征点,提高了特征点的可靠性;最后将自适应阈值检测器中的特征点替换为DAISY特征点,并用于图像检测。实验表明本发明提出的方法在保证了特征点较高的可靠性,且改善了特征点分布,达到了预期目标。

    氮化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器

    公开(公告)号:CN105141289B

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201510379286.3

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流四悬臂梁开关的RS触发器的四悬臂梁开关N型MESFET由栅极、源极和漏极组成,形成漏极‑源极‑漏极的结构,在源极和两个漏极之间分别有栅极存在,在每个栅极的上方有两个用钛/金/钛制作而成的对称设计的悬臂梁开关,两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET漏极‑源极‑漏极方向对称,同样地,源极右侧的两个悬臂梁开关也是如此;MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触,在栅极下方的衬底中形成耗尽层,把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等,在该RS触发器工作时,当NMESFET处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了该RS触发器的功耗。

    氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法

    公开(公告)号:CN104967407B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201510379740.5

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明是氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法,用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的悬臂梁开关的下拉电极接地,设计两个悬臂梁开关MESFET的阈值电压相等,悬臂梁开关MESFET的阈值电压和它的悬臂梁下拉电压相等,当悬臂梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值,所以悬臂梁开关被下拉到栅极上,悬臂梁开关与栅极紧贴,同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压,所以MESFET导通。当MESFET的悬臂梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压,悬臂梁开关是悬浮在栅极上方,处于截止。该GaN基低漏电流悬臂梁开关MESFET的交叉耦合振荡器产生稳定振荡,从而降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。

    氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器

    公开(公告)号:CN105048999B

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201510379020.9

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器用具有双悬臂梁开关的MESFET或非门代替传统的或非门,两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET源‑漏方向对称,MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触,在栅极下方的衬底中形成耗尽层,把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等,当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时,悬臂梁下拉与栅极紧贴使MESFET导通,当所加电压小于N型MESFET的阈值电压时,悬臂梁开关就不能下拉,MESFET关断,在该RS触发器工作时,当NMESFET处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了该RS触发器的功耗。

    氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门

    公开(公告)号:CN104935327B

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201510379728.4

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门用具有双悬臂梁开关的MESFET代替传统MESFET,其中,两个悬臂梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的,两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET源‑漏方向对称,MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触,在栅极下方的衬底中形成耗尽层,把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等,当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时,悬臂梁下拉与栅极紧贴使MESFET导通,当所加电压小于N型MESFET的阈值电压时,悬臂梁开关就不能下拉,MESFET关断,在或非门工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。

    硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器

    公开(公告)号:CN104935277B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201510379019.6

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器,由三个固支梁栅NMOS管,一个固支梁栅PMOS管,恒流源和LC回路构成。三个固支梁栅NMOS区别仅在于它们的固支梁栅的形状不同,第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅为宽梁,第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。该功率放大器的固支梁栅MOS管是制作在Si衬底上,其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的,形成固支梁结构。当固支梁栅MOS管关断,固支梁处于悬浮状态,也就没有栅极漏电流,从而降低了电路的功耗,该交叉耦合的固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路,从而补偿LC回路中电感的寄生电阻,从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

    氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法

    公开(公告)号:CN104993792A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510380061.X

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法,用具有固支梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的固支梁开关的下拉电极接地,设计两个固支梁开关MESFET的阈值电压相等,固支梁开关MESFET的阈值电压和它的固支梁下拉电压相等,当固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值,所以固支梁开关被下拉到栅极上,固支梁开关与栅极紧贴,同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压,所以MESFET导通。当MESFET的固支梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压,固支梁开关是悬浮在栅极上方,处于截止。降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。

    硅基低漏电流四悬臂梁可动栅MOS管的RS触发器

    公开(公告)号:CN104935300A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510380043.1

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流四悬臂梁可动栅MOS管的RS触发器由一个四悬臂梁可动栅NMOS管和两个电阻构成,该四悬臂梁可动栅NMOS管由源极,漏极,栅极组成,形成漏极-源极-漏极的结构,在源极和两个漏极之间分别有两个悬臂梁栅,源极左侧的两个悬臂梁栅的悬浮端之间留有一缝隙,两个悬浮端紧密相连的悬臂梁栅的位置关于该MOS管漏-源-漏方向对称,同样地,源极右侧的两个悬臂梁栅也是如此。在该触发器的源极左侧和右侧各有一个悬臂梁栅作为该RS触发器的输入端R和S,输出端在源极右侧的漏极和电阻之间输出,当该RS触发器工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。

    一种新型生物基液体改性剂的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115160467B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202210711905.4

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本申请公开了一种新型生物基液体改性剂的制备方法及其应用,具体包括:将100份植物油、2‑5份的羧酸与0.1‑0.4份的催化剂混合,逐滴加入50‑100份的30%过氧化氢溶液,得到部分环氧植物油A;将1‑4份催化剂与60‑120份50%过氧化氢溶液反应获得环氧化剂,将100份植物油环氧化剂混合,得到环氧植物油B;将100份环氧植物油B与0.4‑1份催化剂,0.2‑0.3份阻聚剂混合,加入25‑40份酸,得到改性环氧植物油单体C;将100份改性环氧植物油单体C,0.04‑0.08份引发剂,0.5‑0.8份链转移剂溶于部分环氧植物油A,得到生物基液体改性剂,加入到基质沥青中,得到生物基聚合物改性沥青。本发明的一种新型生物基液体改性剂制备方法简单,有效改善基质沥青的高温、低温和抗疲劳性能,低廉、环保。

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