公开(公告)号：CN107238644A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710323930.4

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327 ,  G01N27/48

CPC classification number: G01N27/3277 ,  G01N27/48

Abstract: 本发明涉及树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体，包括以下步骤：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备、色氨酸对映体的电化学识别、色氨酸对映体的识别重现性。本发明的有益效果：二氧化硅的刚性较强，从而在识别与再生的过程中，印迹空腔不容易发生变形和塌陷，且非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚含有大量的含氧官能团，因此C20聚氧乙烯醚可通过氢键作用诱导分子印迹二氧化硅在氧化铟锡电极表面生长，这有利于分子印迹二氧化硅电化学识别氨基酸对映体。

公开(公告)号：CN107213858A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710315692.2

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: B01J13/12 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明涉及一种壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备二氧化硅纳米球、制备氨基改性二氧化硅纳米球、制备壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料。本发明的有益效果：无机分子印迹纳米材料的制备过程环保、廉价，且金纳米粒子的引入有效地增加了分子印迹材料对于半胱氨酸对映体的识别效果。

公开(公告)号：CN107238643B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201710315118.7

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法，包括以下步骤：制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。

公开(公告)号：CN106680336B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201611085254.3

申请日：2016-11-30

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明涉及一种采用还原氧化石墨烯/酞菁锌复合膜并将其应用于电化学监测NO2的方法，包括以下步骤：制备还原氧化石墨烯、制备还原氧化石墨烯/酞菁锌复合膜、对于NO2的灵敏度测试。本发明的有益效果：制备得到的还原氧化石墨烯/酞菁锌复合膜制备方法简单、环保，对于NO2具有较高的灵敏度。

公开(公告)号：CN107238643A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710315118.7

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327

CPC classification number: G01N27/3275

Abstract: 本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法，包括以下步骤：制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。

公开(公告)号：CN105510421A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610028092.3

申请日：2016-01-16

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327

CPC classification number: G01N27/3277

Abstract: 本发明涉及一种采用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体的方法，包括以下步骤：制备纳米金修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极、电化学识别半胱氨酸对映体。本发明的有益效果是：分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备方法简便易行，制备过程环保无污染，通过纳米金对L-半胱氨酸的吸附来增加印迹位点的数量，使得这种材料相比于不引入纳米金的分子印迹聚合物修饰电极对于半胱氨酸对映体具有更高的识别效率。

公开(公告)号：CN105510421B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610028092.3

申请日：2016-01-16

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种采用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极及其应用于电化学识别半胱氨酸对映体的方法，包括以下步骤：制备纳米金修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极、电化学识别半胱氨酸对映体。本发明的有益效果是：分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极的制备方法简便易行，制备过程环保无污染，通过纳米金对L‑半胱氨酸的吸附来增加印迹位点的数量，使得这种材料相比于不引入纳米金的分子印迹聚合物修饰电极对于半胱氨酸对映体具有更高的识别效率。

公开(公告)号：CN107219277B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201710315123.8

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N27/36

Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法，包括以下步骤：制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果：分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外，聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量，从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。

公开(公告)号：CN106378097B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201610887651.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 常州大学 ,  江苏蒙彼利生物科技有限公司

Inventor： 孔泳 ,  顾嘉卫 ,  仝志方 ,  沈健 ,  袁乔

IPC: B01J20/22 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01D15/08 ,  G01N21/33

Abstract: 本发明涉及一种采用分子印迹二氧化硅磁性凹凸棒土并将其应用于识别酪氨酸对映体的方法，包括以下步骤：制备磁性纳米凹凸棒土、制备分子印迹二氧化硅磁性凹凸棒土、识别酪氨酸对映体。本发明的有益效果：分子印迹磁性凹凸棒土的制备方法成本低，制备过程环保无污染，凹凸棒土较大的比表面积可以增加印迹位点的数量，从而提高对于酪氨酸对映体的选择性吸附。

公开(公告)号：CN107121470A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710315124.2

申请日：2017-05-08

Applicant: 常州大学

Inventor： 孔泳 ,  张洁 ,  顾嘉卫

IPC: G01N27/327

CPC classification number: G01N27/3278

Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备二氧化锰/碳毡复合材料、制备分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料。本发明的有益效果：分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备成本低，制备过程简单、环保。