一种阳离子空位型硫代尖晶石电极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115497746B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202210710590.1

    申请日:2022-06-22

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种阳离子空位型硫代尖晶石电极材料及其制备方法和应用,所述阳离子空位型硫代尖晶石电极材料由不锈钢或泡沫金属基合金与阳离子空位型硫代尖晶石两部分均匀复合而成;所述硫代尖晶石的化学通式为:A1‑xB2‑yS4;所述硫代尖晶石具有位于A金属位和/或B金属位的未被阳离子占据的空位。本发明采用一步水热合成法,在水热合成后采用碱刻蚀,成功地将尖晶石中引入了阳离子空位,有效提高了材料的储能性能;本发明的制备方法工艺简单,易于操作。

    一种阳离子空位型硫代尖晶石电极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115497746A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210710590.1

    申请日:2022-06-22

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种阳离子空位型硫代尖晶石电极材料及其制备方法和应用,所述阳离子空位型硫代尖晶石电极材料由不锈钢或泡沫金属基合金与阳离子空位型硫代尖晶石两部分均匀复合而成;所述硫代尖晶石的化学通式为:A1‑xB2‑yS4;所述硫代尖晶石具有位于A金属位和/或B金属位的未被阳离子占据的空位。本发明采用一步水热合成法,在水热合成后采用碱刻蚀,成功地将尖晶石中引入了阳离子空位,有效提高了材料的储能性能;本发明的制备方法工艺简单,易于操作。

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