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公开(公告)号:CN113314559B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202110578773.8
申请日:2021-05-26
Applicant: 常州大学
IPC: H01L27/15 , H10K59/12 , H10K59/65 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种搭载图像传感功能的LED微显示器,包括多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元和三个图像传感单元,驱动背板承载多个像素,并驱动所述子像素单元发光,所述子像素单元根据配置的图像传感单元进行发光。本发明使用半导体工艺制备通过半导体工艺驱动背板上LED显示单元,同时搭载有3个图像传感单元,不仅可以实现高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能,同时可以实时接收外界彩色图像,对外界图像具有图像传感功能。
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公开(公告)号:CN113327986A
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202110592846.9
申请日:2021-05-28
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种门电极发光三极管显示器,包括:多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元,分别为红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元;驱动背板承载多个像素,用于驱动所述子像素单元发光;所述子像素单元包括阳极、半导体层、若干个门电极、ITO/TiN薄膜层和发光层。本发明减少了响应时间,提高了显示亮度,具有高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能。
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公开(公告)号:CN113327987A
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202110594695.0
申请日:2021-05-28
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种搭载图像传感功能的三极管显示器,包括多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元和三个图像传感单元,驱动背板承载多个像素,并驱动所述子像素单元发光,所述子像素单元根据配置的图像传感单元进行发光。本发明通过半导体工艺在驱背板表面制备垂直氧化物晶体管(VDMOS)器件,此类VDMOS器件拥有载流子高迁移率、低响应时间和简化的外部电路等诸多优点,它通过晶体管的电导增益为载流子提供本征放大,能够显著地降低微显示器件中的电噪声,从而对高分辨率微显示器实现高增益驱动。
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公开(公告)号:CN113314559A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110578773.8
申请日:2021-05-26
Applicant: 常州大学
IPC: H01L27/15 , H01L27/32 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种搭载图像传感功能的LED微显示器,包括多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元和三个图像传感单元,驱动背板承载多个像素,并驱动所述子像素单元发光,所述子像素单元根据配置的图像传感单元进行发光。本发明使用半导体工艺制备通过半导体工艺驱动背板上LED显示单元,同时搭载有3个图像传感单元,不仅可以实现高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能,同时可以实时接收外界彩色图像,对外界图像具有图像传感功能。
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公开(公告)号:CN113327986B
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202110592846.9
申请日:2021-05-28
Applicant: 常州大学
IPC: H01L29/78 , H10K59/121
Abstract: 本发明公开了一种门电极发光三极管显示器,包括:多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元,分别为红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元;驱动背板承载多个像素,用于驱动所述子像素单元发光;所述子像素单元包括阳极、半导体层、若干个门电极、ITO/TiN薄膜层和发光层。本发明减少了响应时间,提高了显示亮度,具有高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能。
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公开(公告)号:CN113327987B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202110594695.0
申请日:2021-05-28
Applicant: 常州大学
IPC: H01L29/78 , H10K59/65 , H10K59/121
Abstract: 本发明公开了一种搭载图像传感功能的三极管显示器,包括多个像素,每个所述像素包括三个子像素单元和三个图像传感单元,驱动背板承载多个像素,并驱动所述子像素单元发光,所述子像素单元根据配置的图像传感单元进行发光。本发明通过半导体工艺在驱背板表面制备垂直氧化物晶体管(VDMOS)器件,此类VDMOS器件拥有载流子高迁移率、低响应时间和简化的外部电路等诸多优点,它通过晶体管的电导增益为载流子提供本征放大,能够显著地降低微显示器件中的电噪声,从而对高分辨率微显示器实现高增益驱动。
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