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公开(公告)号：CN102251278A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110144380.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及铜纳米线的制备方法，尤其是一种液相还原可控制备高产率单晶铜纳米线的方法。首先将二价金属铜盐溶液和乙二胺混合后水浴加热形成单一、稳定的铜离子螯合物，将强碱溶液和水合肼混合后在同一温度水浴下配成还原剂；然后将这两种混合溶液转入反应容器中，充分摇匀后盖好，置于同一温度水浴中加热反应，制备铜纳米线；将漂浮在溶液上层的片状铜纳米线打捞出来，依次用去离子水和无水乙醇洗涤三次以上，在室温和Ar气保护条件下干燥即得铜纳米线。本发明工艺简单、成本低、产率高，所制备的铜纳米线为单晶结构，其表面相对光滑，径向粗细均匀，长度和直径可控且比较均匀。
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公开(公告)号：CN102251278B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110144380.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及铜纳米线的制备方法，尤其是一种液相还原可控制备高产率单晶铜纳米线的方法。首先将二价金属铜盐溶液和乙二胺混合后水浴加热形成单一、稳定的铜离子螯合物，将强碱溶液和水合肼混合后在同一温度水浴下配成还原剂；然后将这两种混合溶液转入反应容器中，充分摇匀后盖好，置于同一温度水浴中加热反应，制备铜纳米线；将漂浮在溶液上层的片状铜纳米线打捞出来，依次用去离子水和无水乙醇洗涤三次以上，在室温和Ar气保护条件下干燥即得铜纳米线。本发明工艺简单、成本低、产率高，所制备的铜纳米线为单晶结构，其表面相对光滑，径向粗细均匀，长度和直径可控且比较均匀。
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公开(公告)号：CN102345096B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110179386.3
申请日：2011-06-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102345096A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110179386.3
申请日：2011-06-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。
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